蓝宝石上石墨烯的近程催化生长研究

在半导体或者绝缘衬底上利用化学气相沉积方法生长石墨烯和在金属上生长石墨烯相比具有很明显的优势,它克服了前期转移石墨烯时引入的杂质污染和缺陷产生的问题。本文提出了一种新的近程催化的方法可以在蓝宝石衬底上直接进行石墨烯的生长。该方法利用了金属作为催化剂的优势,又避免了转移石墨烯的过程。该方法能制备出完全覆盖衬底的石墨烯,同时石墨烯畴的大小接近1μm。基于生长过程中石墨烯的成核和畴的生长,本文提出了近程催化的生长机理。