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器件工艺对碲镉汞位错的影响
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作者 苏九令 徐国来 +3 位作者 周正利 沈杰 施密清 赵惠荣 《半导体杂志》 1994年第1期1-6,共6页
用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论．
关键词 半导体器件 工艺 碲镉汞 错位 影响
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