MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究

本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱（PR）确定的禁带宽度分别为3．39和3．400eV，从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系．对PR谱的调制机理进行的分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制．应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模，通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究，得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数．

热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜

提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。

直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响

本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响．尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质，但发现Cu对氧沉淀行为没有影响，而Fe会明显增强氧的沉淀速率．实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇，与Si晶体生长后业已存在的微小氧沉淀物中的绝大多数没有相互作用；相反地，Fe杂质与微小氧沉淀物相互作用，形成高温下稳定的复合粒子，充当了氧沉淀的有效成核中心．

InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。

GaN基蓝光器件的研究进展

本文对近几年GaN基蓝光器件，包括GaN基发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的发展历程进行了全面介绍和评价。指出GaN基蓝光LED的研究开卡拉卡将在1～2年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产。

多孔硅发光特性的研究

在以氢氟酸为基本组份的腐蚀液中,以单晶硅为阳极采用横向阳极氧化方法,制备了具有光致发光特性的多孔硅,系统地研究了多孔硅薄膜的光学性质;x光衍射分析表明样品具有良好的晶体质量;测量了样品的变波长激光喇曼光谱,光致发光峰值波长和半峰高宽度对电解液组份、电解电流密度及电解时间等量的依赖关系;利用二维量子尺寸效应对上述物理现象作了定性的解释.

α-Al_(2)O_(3)衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。

蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。

MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。

多孔硅的电致发光

采用横向阳极氧化技术在n型单晶硅衬底上制备多孔硅,室温下光荧光谱峰值位于688nm;表面蒸铝形成铝/多孔硅/硅的类肖特基结构,并观察到采用这种方法生长的多孔硅样品的室温电致发光。铝/多孔硅结具有良好的整流特性,在-10V内反向漏电流小于50nA,理想因子为7。室温电致发光的阈值电流为8.5mA,发光强度随正向电流的增加而加强。

新时期下高校校园安全管理的不足及策略

随着社会和时代的发展,当前我国教育教学工作发展的十分完善和先进,教育理念以及管理理念也不断更新和改变,近些年来高校安全管理问题成为各行各业关注的重点依据,也是高校日常管理的重要方向。随着社会和时代的发展,当前越来越多的因素对高校学生的成长和学习起着至关重要的影响作用,在当前的新时代下,安全问题成为各大高校重点关注的对象,做好高校安全管理工作能够极大地保证大学生在校正常学习,保证学生的正常生活以及正常成长,是高等教育学院日常管理工作的基本任务,也是高校得以生存和发展的基础。为了不断适应当前社会和时代的浪潮,满足高等教育安全发展的需要,高等院校应当积极主动地调整学院安全管理思路以及制度,不断促进改革创新,做好学校的安全管理工作,本文就关于当前高等院校安全管理工作中存在的问题进行了简要的分析和建议。

谈体育课教学中因材施教的运用

"分层次教学法"是因材施教原则在体育教学中的具体运用,实施这一教学法能够根据学生的不同程度,采取不同的训练方法,使每个学生都能有所提高,从而达到国家规定的体育锻炼标准。

论体育课教学与思想素质教育

体育教学是思想素质教育的重要途径.通过体育课教学培养学生的优秀品质、健康的心理、坚强的意志,提高学生的思想道德水平,促进学生全面发展,健康成长.

碳排放限额约束下的供应链优化模型研究

文中从供应链整体设计框架出发,针对碳排放限额约束建立了以经济和环境为多目标的数学模型,对供应链网络进行了优化并用一个算例验证了模型。该供应链网络优化模型有一定的创新性,能够给企业带来管理启示与参考价值。

“三自”方法 “四有”目标

本文论述以自我教育、自我管理、自我服务的“三自”养成教育为思想政治教育工作的中心环节，开展培养“四有”新人的教育工程，形成具有自己教育特色的理论与实践。

Electrical and Optical Properties of InGaN/AlGaN Double Heterostructure Blue Light-Emitting Diodes

Electrical and optical properties of InGaN/AlGaN double heterostructure blue light-emitting diodes were investigated.Measurement of the forward bias current-voltage behaviour of the device demonstrated a departure from the Shockley model of a p-n diode,and it was observed that the dominant mechanism of carrier transport across the junction is associated with carrier tunnelling.Electroluminescence experiments indicated that there was a main emission band around 2.80 eV and a relatively weaker peak at 3.2 eV.A significant blueshift of the optical emission band was observed,which was consistent with the tunnelling character of electrical characteristics.Furthermore,the degradation in I-V characteristics and the low resistance ohmic short of the device were observed.

硅光电集成的曙光──多孔硅的电致发光

近两年来，多孔硅的发光特性已经成为国际半导体界的研究热点．介绍了多孔硅器件电致发光方面的研究进展，给出了多孔硅器件的基本结构以及相应的光谱响应，阐述了多孔硅固态器件的电致发光在硅光电集成发展过程中的重要意义以及目前尚未解决的问题，展示了它们在技术领域中的潜在应用．

浅论投资控制法在上海地铁1号线工程中的应用

上海地铁1号线工程运用投资控制法,按照市政府“自筹、自借、自还”的原则,引进外资建设的一项大型城市基础设施项目,本文章就此结合工程管理的实践,对各个阶段中怎样控制投资,论述如何使用投资控制法的实践和理论方面做了一些探索。通过对投资控制法的实施,在保证质量和进度的前题下,每年可核减地铁1号线工程投资近1000万元,得到较好的经济效益。