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基于UC/OS-Ⅱ的可重构计算机系统的设计
被引量:
1
1
作者
施炜雷
于平
+1 位作者
邓超
孙铭会
《微计算机信息》
北大核心
2008年第29期78-79,34,共3页
本文介绍了一种UC/OS-Ⅱ在可重构系统中的可靠设计与实现。文中讨论了使用ATMEL公司的Atmega128对ALTERA公司的FPGA器件EP1C3T100进行PS模式的配置方法,移植并使用嵌入式操作系统UC/OS-Ⅱ进行实时调度,进程管理的操作。具有稳定、可靠...
本文介绍了一种UC/OS-Ⅱ在可重构系统中的可靠设计与实现。文中讨论了使用ATMEL公司的Atmega128对ALTERA公司的FPGA器件EP1C3T100进行PS模式的配置方法,移植并使用嵌入式操作系统UC/OS-Ⅱ进行实时调度,进程管理的操作。具有稳定、可靠、实时重构系统的特点,同时为此类系统的开发提供了一种可借鉴的方便灵活的实现方法。
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关键词
UC/OS—Ⅱ
FPGA
AVR
可重构系统
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职称材料
电路仿真在可靠性设计中的应用
被引量:
2
2
作者
邓超
于平
施炜雷
《微计算机信息》
北大核心
2008年第31期268-269,226,共3页
本文介绍了应力分析可靠性预计的作用与意义,应用电路仿真准确分析电路中各个器件的电应力和结温,对元器件的正确选择、电路的合理设计起到一定作用,提高了降额设计的准确性和效率,从而提高了电路的可靠性。
关键词
可靠性预计
应力分析
电路仿真
降额设计
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职称材料
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
3
作者
刘默寒
陆妩
+7 位作者
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期44-48,共5页
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率...
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。
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关键词
双多晶自动准
NPN晶体管
发射极尺寸
剂量率效应
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职称材料
题名
基于UC/OS-Ⅱ的可重构计算机系统的设计
被引量:
1
1
作者
施炜雷
于平
邓超
孙铭会
机构
中科院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
出处
《微计算机信息》
北大核心
2008年第29期78-79,34,共3页
文摘
本文介绍了一种UC/OS-Ⅱ在可重构系统中的可靠设计与实现。文中讨论了使用ATMEL公司的Atmega128对ALTERA公司的FPGA器件EP1C3T100进行PS模式的配置方法,移植并使用嵌入式操作系统UC/OS-Ⅱ进行实时调度,进程管理的操作。具有稳定、可靠、实时重构系统的特点,同时为此类系统的开发提供了一种可借鉴的方便灵活的实现方法。
关键词
UC/OS—Ⅱ
FPGA
AVR
可重构系统
Keywords
UC/OS-Ⅱ
FPGA
AVR
Reconfigurable Computing System
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
电路仿真在可靠性设计中的应用
被引量:
2
2
作者
邓超
于平
施炜雷
机构
中科院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
出处
《微计算机信息》
北大核心
2008年第31期268-269,226,共3页
文摘
本文介绍了应力分析可靠性预计的作用与意义,应用电路仿真准确分析电路中各个器件的电应力和结温,对元器件的正确选择、电路的合理设计起到一定作用,提高了降额设计的准确性和效率,从而提高了电路的可靠性。
关键词
可靠性预计
应力分析
电路仿真
降额设计
Keywords
reliability prediction
stress analysis
circuit simulation
derating design
分类号
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
3
作者
刘默寒
陆妩
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院大学
模拟集成电路国家重点实验室
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期44-48,共5页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金(No.0C09YJTJ1503)
国家自然科学基金(No.U1630141)资助~~
文摘
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。
关键词
双多晶自动准
NPN晶体管
发射极尺寸
剂量率效应
Keywords
DPSA
NPN BJT
Emitter size
Dose rate effect
分类号
TL82 [核科学技术—核技术及应用]
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于UC/OS-Ⅱ的可重构计算机系统的设计
施炜雷
于平
邓超
孙铭会
《微计算机信息》
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
电路仿真在可靠性设计中的应用
邓超
于平
施炜雷
《微计算机信息》
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
3
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
刘默寒
陆妩
贾金成
施炜雷
王信
李小龙
孙静
郭旗
吴雪
张培健
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
已选择
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