一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制

介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。

低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法

在核爆环境下,要求低压差线性稳压器(LDO)的输出电压能够快速恢复。本文定性分析了瞬时电离辐射后LDO的输出电压恢复时间与负载电阻的关系;在"强光一号"加速器上开展了相应的瞬时电离辐射效应试验研究。对比分析不同负载条件下的输出电压恢复时间,发现两者密切相关,通过合理调整输出负载电阻值,可以有效地减小瞬时电离辐射后电路的恢复时间。辐射试验结果表明,经过瞬时电离剂量率为1.0×10^(11 rad(Si)/s辐照后,采用适当负载的LDO的输出电压恢复时间可小于100μs。

一款基于BCD工艺的低EMI、高可靠CAN总线收发器的设计

随着我国重点关注汽车电子产业和大力发展航天航空工业的计划,开发具有自主知识产权、高可靠、低成本的CAN系统芯片具有十分重要的意义。文章设计实现了一款基于BCD工艺的低EMI、高可靠CAN总线收发器电路;提出了基于BCD工艺的ESD保护结构、电流延迟控制和版图降噪设计等技术。采用0.5μm BCD工艺进行了流片验证,结果表明:电路符合IS011898规范,ESD电压达3000V以上,通频带内共模噪声幅度为-86dB,具有较好的电磁兼容(EMC)性能,可应用于高速CAN总线通讯中。