利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究

采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。对小面积的Al超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接。

利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究

对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。

MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究

我们在单晶MgO(100)、Si(100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性。研究表明,在MgO(100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si(100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K.

NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺

研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射。为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形。再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层。经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极。使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应。

一种开放式CAN总线网络仿真开发平台的实现

提出一种开放式CAN总线通信仿真开发平台的设计方法,支持可调设计、动态开发和可视化开发,简化了仿真软件的开发过程,对已开发的软件可以根据需求直接修改,提高了软件的适应性。解决了CAN总线消息与有效信息内容动态编辑、虚拟功能控件与CAN总线信息映射关联、显控界面虚拟控件动态编辑等技术难点,并提出了总线数据来源定位技术、基于频率分包与跟踪技术、总线消息"数据池"技术和字节内定位赋值技术等方法,开发了可模拟CAN总线网络信息交互功能的仿真开发平台,基于该平台可以进行物理设备的功能测试、仿真总线功能和总线通信故障诊断,也可作为虚拟控制设备进行应用。开发的CAN总线通信仿真软件经过实际运行试验,仿真效果良好。

基于Scratch的USB模块化可拆卸教育机器人设计与开发

为响应国家对提高学龄儿童信息化素质教育的号召,开发了基于Scratch的USB插拔式模块化教育机器人.对模块化教育机器人功能模块进行整体方案设计:基于Altium Designer对单片机最小系统,电源选择模块,串口烧录等电路进行分块设计,通过布线与铺铜形成模块化产品级PCB板.采用USB数据线将模块进行连接可形成功能各异的目标机器人.开发基于Mixly的智能避障机器人图形化程序,并将其成功应用于所设计的目标机器人进行测试.测试结果表明:所开发的可拆卸模块化教育机器人能够很好地执行相关指令,完成相应目标动作,具有操作方便,易学性好等优点.