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“后摩尔时代”芯片互连方法简析
1
作者
张墅野
初远帆
+6 位作者
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023年第15期121-130,共10页
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导...
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导致器件在使用温度下失效的问题越来越严重。封装内的互连部分是芯片热传导、电气连接的重要结构,也是器件失效的重要部位,在互连接头尺寸不断减小的背景下,互连部分的失效在器件整体失效的情况中占据着越来越重要的地位,研究高导热、低工艺影响的微纳连接技术有望解决高功率密度器件的可靠性问题。本文总结了微纳连接技术在新型焊料、能量传递方式两方面的发展,简单介绍了表面活化技术并讨论其应用在电子封装中的可能性,在此基础上讨论了微纳连接技术的发展方向。
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关键词
微纳连接
表面活化键合
低温焊料
纳米焊料
电子束辐照
超声连接
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职称材料
题名
“后摩尔时代”芯片互连方法简析
1
作者
张墅野
初远帆
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
机构
哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室
中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023年第15期121-130,共10页
基金
中国科学院硅器件技术重点实验室开放基金(KLSDTJJ2022-5)
国家重点研发计划(2020YFE0205300)
+2 种基金
重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj-msxmX1002)
中央高校基本科研业务费专项资金(AUGA5710051221)
黑龙江省自然科学基金(YQ2022E024)。
文摘
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导致器件在使用温度下失效的问题越来越严重。封装内的互连部分是芯片热传导、电气连接的重要结构,也是器件失效的重要部位,在互连接头尺寸不断减小的背景下,互连部分的失效在器件整体失效的情况中占据着越来越重要的地位,研究高导热、低工艺影响的微纳连接技术有望解决高功率密度器件的可靠性问题。本文总结了微纳连接技术在新型焊料、能量传递方式两方面的发展,简单介绍了表面活化技术并讨论其应用在电子封装中的可能性,在此基础上讨论了微纳连接技术的发展方向。
关键词
微纳连接
表面活化键合
低温焊料
纳米焊料
电子束辐照
超声连接
Keywords
micro nano connection
surface actived bonding
low temperature solder
nano solder
electron beam irradiation
ultrasonic connection
分类号
TG4 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
“后摩尔时代”芯片互连方法简析
张墅野
初远帆
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023
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