功率晶体管正偏二次击穿的测试

给出完善可信的极限参数是提高功率晶体管使用可靠性的一个重要因素。目前我国晶体管手册中对功率晶体管给定的极限参数一般为I_(cm)、P_(cm)和BV_(CEO)三项。实际上这是不够的。必须同时考虑第四项极限参数——正偏二次击穿(以下简称二次击穿)功率P_(SB)才能真正确定其安全工作区(当器件带有大电感负载运用时亦应同时考虑反偏二次击穿)。由于P_(SB)往往远小于给定的P_(cm)数值,而且二次击穿的发生经常导致器件的烧毁。