早产儿脑损伤发病机制研究进展

随着新生儿重症监护病房的监护技术和治疗技术的进步,极低出生体重儿及超低出生体重儿的存活率有了明显提高,但早产儿因出现脑损伤遗留后遗症的比例并没有降低,除了较为明确的缺氧缺血和感染两个上游机制外,最新的研究提示脑损伤尚存在三个下游机制,分别为氧自由基的攻击、小胶质细胞的激活、兴奋性谷氨酸的毒性作用。其中小胶质细胞介导的毒性作用主要通过Toll样受体4起作用。

腔内心电图技术在新生儿患者PICC尖端定位中的应用

目的 探讨腔内心电图技术在新生儿患者PICC尖端定位中的应用效果。方法 采用类实验性研究的方法,根据纳入标准和排除标准,选取2017年9月~2018年4月在本院新生儿重症监护室(NICU)住院的患儿,因病情需要需行外周静脉置入中心静脉导管(PICC)的新生儿患者作为研究对象,均采用超声引导下常规经上肢静脉通路或颞浅静脉通路进行穿刺置管,采用随机数字表法将研究对象分为实验组和对照组。实验组患儿除常规穿刺置管外,利用腔内心电图(Intracavitary electrocardiography,IC-ECG)技术,通过观察特异性P波振幅定位导管尖端位置。2组患儿均在置管完成后采用行业的“金标准”——胸部X线摄片,验证导管的尖端位置是否正确。比较2组患儿一次性穿刺置管的成功率。结果 对照组一次性置管成功率为83.8%,实验组一次性置管成功率为94.6%,实验组的一次性置管成功率显著高于对照组(P<0.05)。结论 腔内心电图技术定位PICC尖端位置,可以有效提高新生儿患者PICC穿刺的一次性置管成功率。