SU-8干膜喷墨腔室的制作工艺研究

描述了一种基于干膜层压技术和光刻技术的制作SU-8干膜喷墨腔室的工艺方法:光刻SU-8胶得到开放腔室并使用氧等离子体处理,将PDMS(Polydimethylsiloxane)上的SU-8干膜层压在开放腔室上,使用光刻技术在干膜层上制作出喷孔,从而得到完整的喷墨腔室。该技术简化了喷墨腔室的制作工艺、缩短了制作周期并且只需要常规设备。文章建立了喷墨腔室结构模型,数值仿真模拟了喷墨过程,优化确定了SU-8干膜喷孔板的厚度。分析了层压参数如层压温度和干膜厚度对键合率和通孔率的影响。使用氧等离子体处理工艺提高干膜的键合强度,优化了等离子体射频功率和处理时间。最后对制作的喷墨腔室进行了键合强度测试。

Parylene C在压电喷头中的应用研究

为了对压电喷头进行有效防护,采用Parylene C作为保护层,对Parylene C的沉积厚度、图形化和与基底结合强度进行了实验研究。当Parylene C保护层的沉积厚度在450 nm至1μm时,能够满足Parylene C的耐压要求,且对压电单元振动位移的影响较小。采用氧等离子体刻蚀的方法对Parylene C进行图形化刻蚀,得到其刻蚀速率与刻蚀功率的变化关系。采用硅烷偶联剂预处理基底表面后,Parylene C与基底具有较强的结合强度。