半导体位置敏感探测器新型结构研究

在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)二维枕形结构特性的基础上,采用光敏面与边缘区域分别注入不同离子剂量的方法,研究了一种PSD新型结构,这种结构的PSD边缘采用了带宽很窄的正方形状的离子注入电阻带形式,输出电极附加了一个较小的正方形框架作为阳极,通过在PSD边缘电阻带中注入较高离子剂量的元素,改变PSD边缘电阻带的电阻和有效感光面区域电阻的比值;实验模拟结果显示:新型结构的PSD可获得较高的位置分辨率、较大的有效光敏面积以及较小的非线性。

双面位置敏感器件的特性与畸变研究

阐述了半导体光电位置敏感器探测器(PSD)的特性及定位理论,在此基础上,分析了双面PSD的空间分辨率与引起畸变的原因,建立了双面PSD的模型;采用敏感前置放大器的信号波形,对双面PSD内的非线性与模拟的结果进行分析与对比,提出了利用电荷灵敏前置放大器改善PSD的内在畸变的方法。最后给出了关于双面PSD的几个重要结论。

双层侧向位置敏感探测器的畸变研究

阐述了半导体光电位置敏感器件双层结构、特点,在此基础上,利用三层前置反馈网络对光电位置敏感器件的空间非线性以及畸变产生的机理进行了分析,尤其是对在位置敏感器件边缘的非线性作了分析研究;提出了一种适于位置敏感器件的敏感前置放大器电路和产生双极脉冲的分光滤波器;通过实验模拟,验证了上述理论和方法的正确性,并对双层结构的位置敏感器件在精密探测中的应用作了展望。

新型三态滞环电流自适应控制策略

在分析与比较传统两态滞环电流控制和三态滞环电流控制的基础上,利用三态滞环电流自适应跟踪控制方法导出了一种新型环宽计算公式;利用Matlab/simulink工具建立了逆变控制系统仿真模型,使用该模型对并网系统电流控制进行了实验仿真.结果证明,该控制方法稳态性能好,实际电流波形理想,电流误差小.

基于4Q-PSD的高分辨率横向位移探测方法研究

在分析四象限位置敏感器件(4Q-PSD)结构及特点的基础上,利用该器件作为核心探测器,设计了一种光电探测系统,对高分辨率横向位移的探测进行了研究。系统主要包括LED光发射、光接收、信号处理和显示等部分。LED发射的光束经聚焦透镜汇聚后射向反射镜,反射光聚焦到一个4Q-PSD上,经线性化的信号处理电路处理后,可实现高分辨率横向位移的测量。实验证明:横向位移测量稳定性与精度与测量距离无关,系统的误差主要来自反射镜反射的非均匀性。

改进的正反馈主动频率偏移孤岛检测法研究

当电网发生故障时,孤岛检测要求能够准确及时地检测出孤岛效应和尽量减少其对电网的不良影响。针对目前传统主动式频率偏移法(AFD)在并网逆变器的孤岛检测中存在容性负载难以检测情况,导致出现了检测盲区,提出一种改进方法,该法从正反两方向进行频率的扰动,可以有效地解决容性负载检测失效的问题,消除检测盲区。应用MATLAB进行建模与仿真,结果表明:改进后的算法不仅克服了传统AFD检测法在不同负载条件下盲区较大的缺陷,且能够有效减小对系统加入的谐波失真,降低扰动对电能质量的影响。