热激弛豫过程动力学方程的建立及计算机模拟

用热激去极化电流(TSDC)法对半绝缘GaAs(SI—GaAs)退火前后的深能级进行了测量,并推导出这一热激弛豫过程的一般动力学方程,用曲线拟合的方法对热激活能E,动力学阶数b等拟合,并用计算机模拟其理论曲线,理论与实验吻合。

半绝缘GaAs退火前后深能级的研究

用TSDC(热激去极化电流)法对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)退火前后的深能级进行了测量,并对该方法进行理论分析,推导出这一热激过程的动力学方程。用曲线拟合的方法对陷阱能量E等拟合,理论与实验结果吻合。测得SI-GaAs:Cr样品中Cr产生的深能级为E_c-0.716eV,Ec-0.532eV;高纯SI-GaAs样品中EL_2能级为E_c-0.735eV。另外,还测得其它几个深能级。

Inte18279编码键盘监控程序设计

本文介绍了由8279芯片构成的键盘、显示电路及与8031接口的连接方法,并提供了一个实用的监控程序。