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形状记忆合金薄膜微驱动器过程准可控研究 被引量:3
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作者 曲炳郡 李路明 +1 位作者 张玉玲 王立鼎 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页
研究了形状记忆合金(SMA)驱动器的过程不可控及过程准可控输出特性,给出了此类驱动器实 现过程准可控的设计思想——单元互联,及其可控输出位移值与互联单元的一般性关系:对于 n个具有双程形状记忆效应的单元互联而成的SMA驱动器,有2n... 研究了形状记忆合金(SMA)驱动器的过程不可控及过程准可控输出特性,给出了此类驱动器实 现过程准可控的设计思想——单元互联,及其可控输出位移值与互联单元的一般性关系:对于 n个具有双程形状记忆效应的单元互联而成的SMA驱动器,有2n个可控位移输出. 对一类基于单元互联实现变力夹持的SMA薄膜微夹持器进行了理论探讨. 展开更多
关键词 形状记忆合金薄膜 微夹持器 过程不可控 过程准可控 单元互联 微驱动材料
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用于微机械的形状记忆合金薄膜工艺研究 被引量:2
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作者 曲炳郡 刘晓鹏 +1 位作者 李路明 王立鼎 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-32,共4页
形状记忆合金薄膜以其功密度高、输出力和位移大成为微型机电系统领域最有潜力的微驱动材料之一。研究了丝材冷轧和溅射薄膜工艺 ,获得了理想的 Ti Ni薄膜 ,对于溅射工艺 ,给出了增加溅射薄膜中 Ti含量的一种新途径 ,并应用原子力显微... 形状记忆合金薄膜以其功密度高、输出力和位移大成为微型机电系统领域最有潜力的微驱动材料之一。研究了丝材冷轧和溅射薄膜工艺 ,获得了理想的 Ti Ni薄膜 ,对于溅射工艺 ,给出了增加溅射薄膜中 Ti含量的一种新途径 ,并应用原子力显微镜对薄膜进行了微观形貌分析。 展开更多
关键词 形状记忆合金 薄膜 微型机电系统 冷轧 溅射 原子力显微镜
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Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/Pt异质结构的电阻开关特性(英文) 被引量:2
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作者 曲炳郡 黄丽娜 刘理天 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2009年第2期178-181,共4页
采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究.结果表明,Ag/LSMO/Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低... 采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究.结果表明,Ag/LSMO/Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低的开关电压和较快的变阻饱和速度.由此可见,总脉冲能量或电荷(电流作用)为该结构的电阻开关效应提供驱动力.对Ag/LSMO/Pt结构进行了耐久性测试,表明该结构具有良好的疲劳特性与保持特性,可应用于新型不挥发存储器、传感器及可变电阻等电子元器件的研制. 展开更多
关键词 La067Sr033MnO3 脉冲激光沉积 电阻开关 电阻随机存取存储器
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用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀 被引量:1
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作者 曲炳郡 任天令 +3 位作者 刘华瑞 刘理天 库万军 李志坚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期272-273,共2页
研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀,其结构为:Ta(6nm)/Ni_(8)Fe_(19)(4.5nm)Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(11nm)/Ta(3nm)。该自旋阀磁电阻变化率大(9.15%),交换场高(约200Oe),矫顽力低... 研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀,其结构为:Ta(6nm)/Ni_(8)Fe_(19)(4.5nm)Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(11nm)/Ta(3nm)。该自旋阀磁电阻变化率大(9.15%),交换场高(约200Oe),矫顽力低(0.85Oe),灵敏度高,且具有良好的热稳定性,加之与IC工艺兼容,因而是一种制作集成磁场传感器的理想结构。 展开更多
关键词 巨磁电阻 自旋阀 热稳定性 集成磁传感器
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Ni_(81)Fe_(19)层厚度对自旋阀巨磁电阻性能的影响 被引量:1
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作者 曲炳郡 任天令 +3 位作者 刘华瑞 刘理天 库万军 李志坚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期89-90,共2页
利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)/Ni_(81)Fe_(19)/Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni_(81)Fe_(19)层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影... 利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)/Ni_(81)Fe_(19)/Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni_(81)Fe_(19)层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于Ni_(81)Fe_(19)层厚度具有强烈的依赖性。当Ni_(81)Fe_(19)层厚度位于2~6nm和7~12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34%)和较低(约3.34%)的两个水平,而当Ni_(81)Fe_(19)层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5%。由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni_(81)Fe_(19)层厚度不能超过6nm。 展开更多
关键词 磁控溅射 标准自旋阀 巨磁电阻 Ni81Fe19
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TiNi形状记忆薄膜的光刻新工艺
6
作者 曲炳郡 夏善红 +1 位作者 李路明 王立鼎 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期307-308,共2页
Ti Ni形状记忆薄膜光刻工艺是此类 MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺 (lift- off)用于 Ti Ni薄膜图形化的可行性 ,并首次利用溅射的金属 Pt作掩膜进行 Ti Ni薄膜湿法腐蚀。结果表明 :溅射的 Pt在 HF/ HNO3/ H2 O腐蚀 Ti Ni... Ti Ni形状记忆薄膜光刻工艺是此类 MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺 (lift- off)用于 Ti Ni薄膜图形化的可行性 ,并首次利用溅射的金属 Pt作掩膜进行 Ti Ni薄膜湿法腐蚀。结果表明 :溅射的 Pt在 HF/ HNO3/ H2 O腐蚀 Ti Ni过程中 ,具有抗腐蚀力强、与 Ti Ni结合致密、不漂起的特点 ,是 Ti 展开更多
关键词 TINI 形状记忆薄膜 光刻 Pt薄膜 MEMS
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基于模糊神经网络的智能巨磁电阻传感器设计 被引量:4
7
作者 张洵 靳东明 +3 位作者 刘华瑞 曲炳郡 任天令 刘理天 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2007年第4期895-897,共3页
在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matla... 在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matlab仿真试验验证了该方法的有效性。最后,讨论了单芯片系统(SOC)实现该智能GMR磁传感器的可行性,为进一步的系统集成提供了理论基础。 展开更多
关键词 巨磁电阻 模糊神经网络 单芯片系统 智能传感器 线性校正
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GMR生物传感器研究进展 被引量:1
8
作者 任天令 曲炳郡 +1 位作者 刘理天 李志坚 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期23-26,共4页
巨磁电阻(GMR)生物传感器以其IC兼容性、高灵敏度、标记稳定、价格低廉等优点,获得广泛关注.在GMR生物传感器研究领域,美国处于领先地位.对该领域的研究现状进行综述,并对该技术的前景进行展望.
关键词 巨磁电阻(GMR) 生物传感器 IC兼容性
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IrMn顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究 被引量:1
9
作者 刘华瑞 任天令 +3 位作者 曲炳郡 刘理天 库万军 李伟 《金属功能材料》 CAS 2003年第6期18-21,共4页
通过直流磁控溅射法在硅 /二氧化硅基底上沉积了Ta膜 ,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜 ,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况 ,及自旋阀的磁性能 ,结果表明 ,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的... 通过直流磁控溅射法在硅 /二氧化硅基底上沉积了Ta膜 ,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜 ,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况 ,及自旋阀的磁性能 ,结果表明 ,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的关系 ,在Ta缓冲层为 3nm时自旋阀的磁电阻率 (9 2 4 % )和交换场 (2 5 5× (10 3 / 4π)A/m)达到最大值 ,而矫顽力 (2 4 3× (10 3 / 4π)A/m) 展开更多
关键词 自旋阀 磁控溅射 缓冲层 优化 巨磁电阻
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基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
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作者 刘华瑞 欧阳可青 +3 位作者 任天令 曲炳郡 李伟 刘理天 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期127-129,共3页
通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传... 通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103~154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用. 展开更多
关键词 GMR GMR传感器 退火 矫顽力
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基于GMR效应的新型生物传感器研究 被引量:4
11
作者 张超奇 周非 +2 位作者 曲炳郡 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期373-375,共3页
制备出了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta,磁阻变化达9.2%的GMR自旋阀传感器,并用该种传感器对浓度为200μg/mL、直径2μm的生物免疫磁球溶液进行了检测。实验结果表明,该生物传感器可以对被测生物免疫磁球溶液产生平均350μV的电... 制备出了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta,磁阻变化达9.2%的GMR自旋阀传感器,并用该种传感器对浓度为200μg/mL、直径2μm的生物免疫磁球溶液进行了检测。实验结果表明,该生物传感器可以对被测生物免疫磁球溶液产生平均350μV的电压输出信号,随着磁球溶液的继续增加,电压输出信号可以达到最大值450μV。除去背景干扰信号的影响,由磁球产生的有效电压输出信号为300μV。此外,交流励磁场的频率的增加也会使输出电压信号减小。 展开更多
关键词 生物传感器 巨磁电阻 免疫磁球
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GMR自旋阀生物传感器平面结构及钝化层设计 被引量:1
12
作者 赵复龙 曲炳郡 +1 位作者 任天令 刘理天 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期607-610,共4页
为设计性能优良的磁电阻传感单元,制作了一系列由不同宽度的单条GMR自旋阀磁电阻条所构成的传感器,并对并对它们的性能进行了测试。综合比较不同宽度传感器的矫顽力Hc、耦合场Hcof和线性范围Hrange,发现传感器最佳宽度为4μm,具有此宽... 为设计性能优良的磁电阻传感单元,制作了一系列由不同宽度的单条GMR自旋阀磁电阻条所构成的传感器,并对并对它们的性能进行了测试。综合比较不同宽度传感器的矫顽力Hc、耦合场Hcof和线性范围Hrange,发现传感器最佳宽度为4μm,具有此宽度的传感器不仅线性区关于零场对称,而且矫顽力很小、线性范围很大,受弱磁场的影响很小。对由四个磁电阻条构成的惠斯通电桥传感器的钝化层设计采取了在传感器表面旋涂SU-8胶并在其电桥信号单元覆盖区开孔的办法,不仅满足了传感器在液体环境的测量要求,而且能够很好的区分传感器中的信号单元和参考单元。 展开更多
关键词 生物传感器 自旋阀 宽度 钝化层
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一种新型磁芯螺线管微电感的设计与优化 被引量:1
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作者 耿玉洁 曲炳郡 叶启 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期49-53,共5页
利用HFSS仿真软件对一种基于电感耦合的新型磁芯螺线管微电感进行设计,并优化得出其结构参数,该电感尺寸为7 mm×6.6 mm×0.44 mm。利用Agilent E4294A射频阻抗/材料分析仪对微机电系统(MEMS)工艺实现的该新型螺线管微电感进行... 利用HFSS仿真软件对一种基于电感耦合的新型磁芯螺线管微电感进行设计,并优化得出其结构参数,该电感尺寸为7 mm×6.6 mm×0.44 mm。利用Agilent E4294A射频阻抗/材料分析仪对微机电系统(MEMS)工艺实现的该新型螺线管微电感进行了性能测试分析。测试结果表明:该电感在1 MHz^20 MHz频率范围内保持较高的电感值和品质因数Q,测试结果与仿真结果较好的吻合,电感值是相同几何结构参数下空心电感的16倍以上,在10 MHz频率时,微电感的电感值为1.17μH,Q值达到50。 展开更多
关键词 MEMS 磁芯 螺线管微电感 Q值 HFSS
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Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究 被引量:1
14
作者 黄丽娜 曲炳郡 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期80-82,共3页
采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效... 采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。 展开更多
关键词 钙钛矿结构氧化物 脉冲激光沉积 电脉冲诱发电阻转变 LA0.67SR0.33MNO3
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GMR薄膜抗辐照性能研究
15
作者 郑洋 曲炳郡 +2 位作者 赵复龙 任天令 刘理天 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2010年第5期302-306,共5页
研究了两种不同材料构成自旋阀结构的巨磁电阻(Giant magneto resistance,GMR)多层膜受质子辐照、电子辐照和γ射线辐照的影响。实验结果表明,辐照会引起磁电阻率的略微下降,但降幅均低于10%,并且GMR薄膜的矫顽力和交换场并不受辐照的... 研究了两种不同材料构成自旋阀结构的巨磁电阻(Giant magneto resistance,GMR)多层膜受质子辐照、电子辐照和γ射线辐照的影响。实验结果表明,辐照会引起磁电阻率的略微下降,但降幅均低于10%,并且GMR薄膜的矫顽力和交换场并不受辐照的影响。对比发现,GMR元件受太空环境中以质子辐射为主的影响非常小,这表明GMR元件在空间应用中具有广阔的前景。 展开更多
关键词 巨磁电阻 质子辐照 电子辐照 Γ辐照
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热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究
16
作者 郑洋 曲炳郡 +3 位作者 叶双莉 李伟 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期228-230,共3页
对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的... 对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。 展开更多
关键词 巨磁电阻 自旋阀 磁传感器
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一种新型RF-MEMS微天线的设计与实现
17
作者 叶启 曲炳郡 耿玉洁 《磁性材料及器件》 北大核心 2014年第6期37-40,73,共5页
针对13.56MHz RFID系统大面积平面螺旋线圈天线存在的缺陷,提出了一种用于13.56MHz频段的新型RF-MEMS微天线,并使用HFSS软件进行了仿真和设计,同时采用MEMS工艺实现器件制作。该微天线由螺线管线圈及高性能铁氧体薄膜组成,总体尺寸小于1... 针对13.56MHz RFID系统大面积平面螺旋线圈天线存在的缺陷,提出了一种用于13.56MHz频段的新型RF-MEMS微天线,并使用HFSS软件进行了仿真和设计,同时采用MEMS工艺实现器件制作。该微天线由螺线管线圈及高性能铁氧体薄膜组成,总体尺寸小于10mm×6.7mm×0.46mm。该微天线灵敏度达到了36.2m V/μT,使用电感值为1.6μH的读卡器线圈与匹配谐振后的微天线进行耦合,在6mm处该微天线的谐振电压达到7.1V,同时将集成了标签芯片及谐振电容的微天线与符合ISO14443标准的读卡器进行通信,其通信距离达到12mm。 展开更多
关键词 射频识别(RFID) 微机电系统(MEMS) 微天线 仿真 设计
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Micromagnetic Simulation of Transfer Curve in Giant-Magnetoresistive Head
18
作者 佘圣贤 韦丹 +4 位作者 刘洋 曲炳郡 任天令 刘曦 魏福林 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第12期221-224,共4页
The transfer curve of the giant-magnetoresistive (GMR) magnetic head represents its most important property in applications, and it is calculated by the micromagnetic modeling of the free layer and the pinned layer ... The transfer curve of the giant-magnetoresistive (GMR) magnetic head represents its most important property in applications, and it is calculated by the micromagnetic modeling of the free layer and the pinned layer in the heart of the GMR head. Affections of the bias hard magnetic layer and the anti-ferromagnetic pinning layer are modeled by effective magnetic fields. The simulated transfer curve agrees with experiment quite well, therefore the values of these effective magnetic fields can be determined by the model. A synthetic antiferromagnetic spin valve structure GMR head is also analyzed for comparison. 展开更多
关键词 Electronics and devices Condensed matter: electrical magnetic and optical Surfaces interfaces and thin films
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RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响
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作者 曲炳郡 任天令 +3 位作者 刘华瑞 刘理天 李志坚 库万军 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第3期343-346,共4页
对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究。自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体... 对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究。自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min。结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大,这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义。 展开更多
关键词 巨磁电阻 自旋阀 磁性能 传感器 反应离子刻蚀
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磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究 被引量:3
20
作者 欧阳可青 任天令 +3 位作者 刘华瑞 曲炳郡 刘理天 李伟 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期143-148,共6页
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项... 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。 展开更多
关键词 自旋阀 底钉扎 巨磁电阻 退火效应
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