地质突变条件下基于组合模型的围岩等级和TBM掘进参数预测

为了提高硬岩隧道掘进机(TBM)施工的安全性和智能化,基于TBM掘进数据,提出了一种将双向长短期记忆(BiLSTM)网络与支持向量机回归(SVR)算法相结合的可以同时进行围岩等级和TBM掘进参数预测的组合模型(BiLSTM-SVR模型)。实例验证结果表明:BiLSTM-SVR模型对围岩等级的预测准确度较高,均方根误差均小于0.0265、平均绝对百分比误差均小于0.95%;BiLSTM-SVR掘进参数预测中,推力和扭矩的预测准确度最高,净掘进速度和开挖比能的预测准确度最低;BiLSTM-SVR模型比BiLSTM模型和SVR模型的掘进参数预测准确度有较大的提高,因此进行单一模型的组合可以有效提高模型预测的准确度和鲁棒性。

快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究

本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10^(-3)和2.0×10^(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了气相硼硅原子比分别为 1.6×10^(-3)、2.0 × 10^(-3)、4.0 ×10^(-3)和5.0 × 10^(-3)时淀积,其后只经1150℃ 10秒钟快速热退火处理的多晶硅薄膜压阻特性.在上述淀积条件下,与900℃ 30分钟常规热退火(FA)相比较,得到了快速热退火的最佳条件.

供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备

供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm^(-1)～16Scm^(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42～68A和60～70％。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4～-30.5。

单晶硅表面键合两种甲川菁及其光谱响应的研究

单晶硅表面键合两种甲川菁及其光谱响应的研究王兰英，郝纪祥，张祖训，曹子祥（西北大学化学系，西安，７１００６９）（西北大学电子科学系）关键词光敏染料，单晶硅表面，光谱响应半导体表面化学键合光敏染料的研究是当今化学与材料科学研究的前沿课题之一［１］，近年...

单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n 型锗片的In(Pt) /染料 /n Ge器件具有整流作用 ,应用染料分子的半波电位计算所得的染料分子能级 。

若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光 Ra-man光谱及 XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的 n-型锗片的 In( Pt) /染料 /n- Ge器件具有整流作用。

基于灰色关联分析和SSA-RF模型的岩爆等级预测

矿山巷道、交通隧道等工程中岩爆灾害频发,岩爆预测变得尤为重要。为了提高岩爆等级的预测准确率和预测模型泛化性,提出了一种采用麻雀搜索算法(SSA)优化随机森林算法(RF)模型的SSA-RF模型。考虑岩爆等级预测指标的合理性,综合岩爆成因特点并根据灰色关联分析结果进行4组方案比选以确定最佳预测指标组合,采用模型的重要度分析验证最佳预测指标组合的合理性。方案一保留全部预测指标作为对比项,方案二筛除与岩爆等级之间灰色关联度较低的两项预测指标,方案三采用复合指标,方案四采用独立指标。搜集了151个岩爆样本数据作为模型数据集,将SSA-RF模型的预测效果与其他7种预测方法进行比较,并分析了不同样本容量的模型敏感性。结果表明:方案二为最佳方案,最佳预测指标组合为围岩切向应力、应力系数、弹性能指数和单轴抗压强度;相比于其他7种预测方法,SSA-RF模型在4组方案中预测准确率均最高且平均准确率达到88.09%,在最佳方案中甚至达到95.23%;SSA-RF模型的预测指标重要度排序较RF模型更合理并有效验证了最佳预测指标组合的合理性;采用SSA优化RF模型可以提高RF模型对不同岩爆样本容量的预测准确率和泛化性,有效弥补了RF模型随机性的不足。综上可知,SSA-RF模型对于实际工程的岩爆等级预测具有可行性和有效性。

单晶锗表面键合光敏染料的研究

本文在烯丙醇单体上进行了两种一甲川菁的合成,并用一种新的化学键合法将两种一甲川菁染料键合在抛光的半导体单晶锗表面。将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试,结果表明,与对照锗片相比,键合后的锗片表面,锗衬底的一级拉曼峰强度减少,并在600～3200cm^(-1)范围内出现了与键合颜料分子相应的拉曼频移;在XPS谱中,分别进行了C,N,O,S,卤素等原子的谱图分析,证实了键合颜料后半导体单晶锗表面增加了C—N,S—C,C—O等键,结果与键合的颜料分子结构相符,表明两种光敏染料通过锗氧键共价键合于锗表面。

硅表面内铵盐型碳菁膜及光电特性

通过硅氧碳键（ Ｓｉ－ Ｏ－ Ｃ） 将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜，利用表面增强喇曼光谱（ Ｓ Ｅ Ｒ Ｓ） 和 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 确证其结构，并测定了键合染料膜硅片的光谱响应和表面光电压。结果表明染料可使硅敏化。

吡啶菁衍生物键合于单晶硅表面的研究

用化学方法将两种光敏染料２，４－吡啶等衍生物及噻－４’－吡啶等衍生物分别键合于单晶硅表面，对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明：两种光敏染料都被键合在单晶硅表面。同时，测定了用键合了光敏染料的半导体硅片制成的Ｉｎ／染料／ｎ－Ｓｉ多层结构器件的光谱响应，与无覆盖抗反射膜的硅ｐ－ｎ结光电池的光谱响应曲线相比较，发现除在６５０ｎｍ处出现对应于硅衬底的吸收峰外，在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰。由此可见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响应。

一种碳菁染料化学键合于单晶硅表面及光谱响应的测定

叙述了用直接犍合法将一种碳菁染料键合于抛光的单晶硅表面,并对其进行了激光拉曼光谱、XPS分析。结果表明,预想结构的染料已键合于单晶硅表面。同时,还测定了由键合染料硅片制成的In/染料/n-Si多层结构器件的光谱响应,发现该器件具有光生伏特效应,其光谱响应曲线出现了与单体染料λ_(max)(甲醇中)相对应的峰值。

光敏染料的键合及其对单晶硅的光敏化作用

用卤化法将噻－２＇－菁光敏染料共价键合于单晶硅表面。测定了键合染料硅片的表面光电压，结果表明，键合光敏染料噻－２’－菁对单晶硅具有很强的敏化作用；利用电化学测量和紫外可见吸收光谱确定了键合光敏染料噻－２’－菁与硅之间的相对能级位置，并对界面电子转移过程进行了讨论。

快速退火BF^+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中，然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入，使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷，其表面轮廓是类似矩形和方形的图形；发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。

单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合

利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．

微晶硅应变计压力传感器的研制

本文介绍了n型微晶硅应变计传感器的研制工作。从应变计的灵敏系数K=-30.5和灵敏系数的温度系数α_k=-0.08%℃^(-1)等主要参数可以看到:用微晶硅制作的应变计,灵敏系数高,温度特性和线性度好,是传感器领域里很有希望的一种新器件。

单晶硅表面键合复合份菁及其伏－安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ—Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在电子势垒。

单晶硅表面键合菁染料的表面增强拉曼散射

用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的ＳＥＲＳ图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用，使Ａｇ＋成为连结染料分子间的锁，增加染料分子极化率，使拉曼散射截面积增大，从而起到增强效果的作用。

a－Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。

多晶硅压阻压力传感器的研制

多晶硅压阻压力传感器是一种正在研制的新型传感器。本文介绍了作者在这方面的研制工作,列出了一些有关工艺实验数据及器件性能的测试结果。其主要参数,灵敏度:10.27mV/kg/cm^2;灵敏度温度系数:约10^(-4)F·S/℃,由此来看,多晶硅压力传感器与单晶压力传感器性能近似。要得到温度特性好,特别是高温性能好的器件,还有待于进一步的工作。

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料，制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相，ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件，并检测了其气敏特性。