球形二氧化硅在覆铜板中的应用

本文综述了球形二氧化硅的特点、在覆铜板中应用领域、国内外生产情况和产品规格,重点论述了球形二氧化硅在覆铜板中的应用技术。随着国内球形二氧化硅生产技术的提高,有望进一步推动球形二氧化硅在覆铜板中的应用,带动覆铜板性能和技术的提升。

球形二氧化硅及其在覆铜板中的应用

本文介绍了球形二氧化硅的特点和常见生产工艺,并以近十年来国内球形二氧化硅在覆铜板中应用专利为研究对象,综述了球形二氧化硅在覆铜板中的使用情况,并对球形二氧化硅填料在覆铜板中应用的未来趋势提出了见解。

覆铜板用填料发展趋势

本文以近十五年来国内覆铜板填料的相关文献为对象,研究、综述了覆铜板(主要是FR-4)在无机填料使用方面的情况和发展趋势。

耐热表面改性球形硅微粉的制备及其性能

采用KBM-573硅烷偶联剂对球形硅微粉表面进行水解改性,通过控制改性时间、改性温度和改性剂用量确定最佳工艺参数;利用红外光谱、SEM对改性前、后的球形硅微粉性能进行表征,同时测定改性前、后样品的吸油值和表面羟基数量,分析其改性效果;并进行PTFE覆铜板指标测试。结果表明:改性后的球形硅微粉吸油值明显减小,表面羟基数大幅减少,硅烷偶联剂分子成功地以化学键的形式接枝在球形硅微粉表面;改性后球形硅微粉团聚现象减少,分散性得到显著改善;KBM-573改性球形硅微粉与KH550改性同类产品相比,具有更好的耐热性及应用性能。

苯基三甲氧基硅烷改性纳米二氧化硅的制备及其应用

采用偶联剂苯基三甲氧基硅烷(PTMS)对纳米二氧化硅进行改性,研究反应温度、反应体系pH值、反应时间及偶联剂PTMS用量对改性纳米二氧化硅活化度和表面羟基数的影响,采用X射线衍射分析、热重分析、傅里叶变换红外光谱分析和透射电子显微镜分析等对改性前后纳米二氧化硅结构进行表征,考察改性纳米二氧化硅对丁苯橡胶(SBR)的补强效果。结果表明:当反应温度为80℃、反应体系pH值为3.5、反应时间为90 min、偶联剂PTMS用量为纳米二氧化硅用量的6.85%时,改性纳米二氧化硅的活化度达到100%,表面羟基数最小,为0.99个·nm^(-2);与使用未改性纳米二氧化硅补强的SBR胶料相比,使用改性纳米二氧化硅(优化工艺条件下改性)补强的SBR胶料的门尼粘度明显下降,t 90明显缩短,拉伸强度提高4.5%,拉断伸长率提高9%,DIN磨耗量降低21%。

高纯低放射性球形硅微粉的制备与性能

首先将超细硅微粉中的铀(U6+)元素分散在酸性浆料中;然后使用SiO2气凝胶和蜂窝陶瓷复合介孔吸附装置对其进行吸附完成材料精选与提纯,使超细硅微粉中的铀(U)元素总量降低;最后在无污染后加工技术的基础上,采用火焰熔融法球形化后获得高纯低放射性球形硅微粉。实验结果表明,通过材料精选与提纯,超细硅微粉中的铀(U)含量(质量分数)可以从9.7×10^-9降至6×10^-10,最终获得的高纯低放射性球形硅微粉的铀(U)含量为7×10^-10。制备的硅微粉具有高球形度、粒度分布窄且可控等特点,应用时表现出流动性好、黏度低、粗粒含量少(溢料长)等理想效果,满足大规模集成电路(LSI)封装对高纯低放射性球形硅微粉填料的要求。

亚微米球形硅微粉的制备技术研究进展

对国内外亚微米球形二氧化硅微粉(以下简称亚微米球形硅微粉)的制备技术进行了综述。重点描述了江苏联瑞新材料股份有限公司通过与南京理工大学开展紧密产学研合作,自主创新,对亚微米球形硅微粉的制备机理进行了研究,建立了亚微米球形硅微粉制备过程中炉膛内的温度场及球化过程模型,研究了一种制备亚微米球形硅微粉的新方法。分析结果表明,制备的产品具有无定型含量高、表面光滑、分散性好、粒度分布适当和纯度高等特点,并已成功进行数吨级大批量工业化生产,此方法及其产品应用前景广阔。

陶瓷材料闪烧制备技术研究进展

陶瓷材料制备过程中,常规烧结需要很高的烧结温度以及较长的保温时间,实现材料致密化不仅能量消耗较大,效率低下,且长时间高温烧结也会带来晶粒长大问题,影响材料性能。近年来,一种名为"闪烧"的新型烧结技术被广泛报道,该技术不仅烧结温度低,保温时间短,且制备的陶瓷材料具有更加优异的微观形貌,引起了学术界的普遍关注。本文归纳了闪烧技术的研究进展,分别对闪烧技术的实验装置、技术参数、制备材料种类以及闪烧技术目前提出的机理进行介绍,分析了闪烧技术当前存在的问题并展望其前景,以期为继续发掘闪烧技术优势、扩展闪烧技术应用领域提供参考。