半导体吸收式光纤温度传感器的研制

本文介绍了一种应用本征半导体的禁带宽度随温度升高而减小的现象，引起对特定波长的光透过率也产生减小的原理，以砷化镓半导体晶片作敏感元，用光纤导光系统，半导体发光二极管作光源，半导体光电二极管作光电转换元，构成了半导体吸收式光纤温度传感器并对它进行了研究，制作和实验；又阐述了这种传感器的特点和应用领域．

ICP压电传感器

介绍了传统电荷放大器测试系统和ＩＣＰ测试系统，分析了ＩＣＰ系统的优点。给出了未加装ＩＣＰ和加装ＩＣＰ后的加速度计的比较测试图。对实际工作很有意义。

探测血红蛋白的光纤传感器

光纤传感器的长处已为人们所共识,也被广泛应用于医疗领域,有关人员对此已做了许多研究工作.本文旨在,探索反射式光纤传感器检测血红蛋白的原理并分析其可行性.1 原理医学生理学认为,人体血液在500～660nm波长范围的光吸收几乎全由各种血红蛋白引起.例如,578nm、540nm是氧合血红蛋白(HbO_2)的吸收峰,618nm是硫血红蛋白(SHb)

压电传感器前置电路研究

运用ＰＳＰＩＣＥ．５．０－ＣＡＤ工具对压电传感器阻抗变换电路进行了分析，在此基础上用厚膜技术实现了集成工作。在实际测试应用中取得了良好的结果。

针式打印头用光纤位移传感器

光纤传感器与传统的各类传感器相比有一系列独特的优点。本文选用反射式民光束光纤位移传感器，用于计算机打印针头的测试，成功地完成了动态信号的检测。

微波冷冻干燥过程中光纤测温技术的研究

分析了半导体吸收波长随温度的变化特性，选用红外发光二极管作为信号光源，光纤采用石英光纤，设定这类半导体吸收式光纤温度传感器的基本参数，建立了半导体材料ＧａＡｓ的透过率与温度关系的数学模型．采用一种基于双波长原理的输送回路来减少测量误差，研制成功了一套半导体吸收式光纤测温系统．在０～１００℃内进行了实验测试．结果表明。

用试探值α分析InGaAs/InP异质界面

自70年代液相外延得到迅速发展以来,在对短时间生长(1～30s)得到的亚微米异质外延层的丰富经验基础上,1982年以后,人们提出了LPE短时间生长机制的理论分析。但迄今为止,国内外对LPE生长接触后极短时间的,特别是初始生长速率的变化行为的研究仍是猜测性地定性分析。研究异质界面问题最有效、最可信的方法是Auger深度离子剥离分析,它可以在2nm以下的精度显示异质固态结合处各元素沿生长距离的分布。

InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合

在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段．

集成探头型压电式加速度传感器研究

在动态力学测量中,常利用石英的压电效应,取其体小质轻,响应快的特点,制成压电电荷类力学传感器.惜其输出阻抗甚高(10^(14)Ω),不利远程传输.为此,多配用深负反馈电荷放大器为阻抗变换电路,以便与读出设备接连.但在探头与放大器之间仍需使用价高的专用电缆连接,且仍免不了外界环境的干扰.现采用常见的,把阻抗变换器与力敏元件集成在一起做成集成探头(ICP),这样既便于屏蔽,也可选取通用的电缆传输. 经使用效果颇佳.

Y型光纤位移传感器研究

本文论述了Y型光纤位移传感器。分析了这种传感器的几何光学特征,位移灵敏度、线性测试范围,通过实际应用在打印头动态行程测试仪上的Y型导光束位移传感器的测试分析,提出设计随机分布结构的若干经验数据,这对实际工作是很有意义的。

时变时滞随机广义Markov跳变系统的事件触发控制

本文研究了在静态事件触发条件下的时变时滞随机广义Markov跳变系统的镇定性问题.通过构造Lyapunov-Krasovskii泛函,利用Jensen不等式以及自由权矩阵技术,提出了系统在静态事件触发条件下的随机容许性条件;在此基础上,设计状态反馈控制器使得相应的闭环系统满足正则、无脉冲且均方意义下随机容许.最后,通过数值算例验证了本文所提方法的正确性和有效性.