GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究

采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出了3000门GaAs超高速门阵列集成电路.

有关化学教学中学生学习能力的培养探讨

随着现代知识体系的不断扩展和素质教育的大力普及。让学生学会学习，培养终身学习能力，是教育的重任。也是终身教育需要研究的一个重要课题。笔者结合自身在教学工作中的一些实践经验，针对化学教学中学生学习能力的培养进行探讨和研究。

浅谈高中化学课堂小组讨论教学存在的问题及对策

随着新课程改革的不断深入,教师也在努力地改变自己的教学方式,以适应各种变化.在高中化学的学习中,教师越来越重视课堂小组讨论教学的有效性,单个人的能力是有限的,只有把大家的智慧汇聚在一起,才能达到质的飞跃.本文是笔者根据自己的教学实践,浅谈了高中化学课堂小组讨论教学存在的问题及对策。

沈阳市中学生高血压与体格发育状况关系分析

目的了解沈阳市中学生体格发育状况对血压的影响,为早期预防成人高血压提供参考。方法选择沈阳市城市初、高中各1所学校和乡村1所完中共843名学生,测量血压、身高、体重,对所得数据进行统计学分析。结果中学生高血压检出率为5.10%,男生高于女生,城市学生高于乡村学生,差异均有统计学意义(P值均<0.01)。肥胖和超重学生以及身高上等、体重上等的学生高血压检出率较高,差异均有统计学意义(P值均<0.05)。结论中学生血压与体格发育状况关系密切。应积极宣传,普及高血压的相关知识,教育学生控制体重,科学锻炼,控制血压。