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W波段硅基集成天线 被引量:2
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作者 曹扬磊 朱健 +2 位作者 侯芳 沈国策 焦宗磊 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第2期120-124,共5页
针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板... 针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。 展开更多
关键词 W波段 硅基天线 多层堆叠 硅通孔技术
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