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W波段硅基集成天线
被引量:
2
1
作者
曹扬磊
朱健
+2 位作者
侯芳
沈国策
焦宗磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第2期120-124,共5页
针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板...
针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。
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关键词
W波段
硅基天线
多层堆叠
硅通孔技术
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职称材料
题名
W波段硅基集成天线
被引量:
2
1
作者
曹扬磊
朱健
侯芳
沈国策
焦宗磊
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第2期120-124,共5页
文摘
针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。
关键词
W波段
硅基天线
多层堆叠
硅通孔技术
Keywords
W⁃band
silicon⁃based antenna
multi⁃layer stacking
through silicon via(TSV)
分类号
TN822 [电子电信—信息与通信工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
W波段硅基集成天线
曹扬磊
朱健
侯芳
沈国策
焦宗磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021
2
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