电子束电压衬度机理及其应用

扫描电子显微镜(SEM)广泛地利用于半导体表面局部电位的测定,电学功能试验和大规模集成电路失效分析。本项工作首先叙述电子束与集成电路的相互作用,二次放射机理和电压衬度的测量原理。本文讨论了各种电压衬度法,也叙述了一种新的电压衬度法,称它为电子束感生电压衬度法。这种方法对具有钝化层表面的集成电路的性能测量具有重要意义。本文讨论了电子束感生电压衬度的原理,给出了获得表面电位分布信息的各种分析方法和谱仪的结构。关于PMOS和CMOS失效分析的扫描电镜研究表明,该方法对于大规模集成电路失效分析是一种很有价值的分析技术。

俄歇效应和表面结构分析

俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构(40 A)。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了俄歇表面结构分析的许多应用。1.俄歇效应,提出可采用的俄歇效应有:(1)俄歇表面效应,(2)俄歇峰宽和化学效应,(3)俄歇复合,(4)俄歇电子结构效应和俄歇表面态效应。2.俄歇表面结构分析。3.俄歇表面电子结构研究。4.俄歇表面态和界面态研究。5.俄歇复合和h_(EF)参量的研究。6.讨论。