AlAs/InSe范德华异质结构的光学和可调谐电子特性

由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点,使用第一性原理的计算方法探究了AlAs/In Se异质结构的几何结构、电子性能和光学性质.结果表明,AlAs/InSe异质结构具有典型的Type-Ⅱ型能带排列并且拥有着1.28eV的间接带隙.通过调节层间距或施加外部电场和应变,可以有效地改变异质结构的带隙值.有趣的是,当应用5 V/nm的电场时,异质结构实现了从Type-Ⅱ向Type-Ⅰ的转变.此外,与孤立单层相比,AlAs/InSe异质结构的吸光度明显提高,特别是在紫外区域.表明新型的二维AlAs/In Se异质结可以作为光电材料和紫外探测器件的有力候选者.