四羟丙基乙二胺–乙二胺四乙酸二钠体系快速化学镀铜

采用四羟丙基乙二胺（THPED）–乙二胺四乙酸二钠（EDTA-2Na）配位体系在环氧树脂板表面进行快速化学镀铜。研究了配位剂、主盐、添加剂和工艺参数等对沉积速率和镀液稳定性的影响,得到快速化学镀镍的最佳镀液配方和工艺条件为：CuSO4·5H2O 12 g/L,THPED 10g/L,EDTA-2Na 5.8 g/L,37%甲醛14 mL/L,2,2′-联吡啶15 mg/L,K4Fe（CN）6 10 mg/L,2-巯基苯并噻唑（2-MBT）5 mg/L,pH 12.5~13.0,装载量3.0 dm2/L,温度40~45°C,时间20 min。在最佳工艺条件下,化学镀铜的沉积速率可达12.7μm/h,镀层表面平整、致密、光亮,背光级数达9级。

印制线路板化学镀镍钯磷合金

在印制线路板上化学镀镍钯磷合金，研究了主盐、配位剂和工艺参数对沉积速率及镀层中钯含量的影响，获得了较优镀液配方和工艺条件：NiCh·6H2024g／L，PdChO.1g／L，NaH2P02·H2O 0.15mol／L，三羟甲基氨基甲烷（Tris）0.05mol／L，乙二胺20mL／L，温度65～70℃，pH8.5～9.0，时间20min。采用扫描电子显微镜和能谱仪对镀层的形貌和组成进行了表征，通过结合力测试、中性盐雾试验和可焊性试验测试了镀层性能。所得镍钯磷合金镀层光亮、孔隙率低，具有良好的结合力和耐蚀性，能满足PCB制作中的可焊性要求。

添加剂对四羟丙基乙二胺-乙二胺四乙酸二钠体系化学镀厚铜的影响

为解决目前四羟丙基乙二胺(THPED)-EDTA·2Na盐化学镀铜体系存在的镀速慢、稳定性不佳等问题,重点考察了不同添加剂对THPED-EDTA·2Na盐化学镀铜的影响。结果表明:硫脲(>3 mg/L)、2-巯基苯并噻唑(2-MBT)和有机物M(含巯基的咪唑类化合物)对镀液的稳定效果较好;硫脲会极大地降低沉积速率,且镀层较差;2-MBT可以提高沉积速率,但稳定镀液的能力有限;有机物M兼有加速剂、稳定剂和光亮剂的功能,对镀液的稳定效果最好,且镀层光亮细致;吐温-80和亚铁氰化钾均能改善镀层外观质量,但对沉积速率及镀液稳定性的影响不大;通过正交试验,以有机物M与2-MBT,吐温-80和亚铁氰化钾复配,确定了最优复合添加剂配方:2-MBT 7mg/L,有机物M 20 mg/L,亚铁氰化钾10 mg/L,吐温-80 20 mg/L;在适宜工艺条件(温度40℃,p H值12.5)下,镀速达到16.3μm/h,镀液稳定时间可达146 min,所得镀层平整、光亮、细致,沉积层为立方晶系铜,PCB孔覆背光级数达到9级,满足PCB工业生产要求。

紫外光固化化学镀铜活化浆料的制备及性能研究

为了在PI(聚酰亚胺)薄膜上制备一种含银的紫外光(UV)固化化学镀铜活化浆料,采用电化学方法测定了聚酯丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯不同质量比得到的活化浆料引发化学镀铜的混合电位–时间曲线,研究了硝酸银和导电炭黑含量对活化浆料的附着力、催化活性及铜镀层导电性的影响,通过扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对活化浆料和铜镀层的表面形貌、结构以及Ag元素分布等进行了研究。以聚酯丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯按质量比为4∶6组成复合预聚体,导电炭黑和Ag NO3的用量分别为10%和7%制备活化浆料,将其涂覆在PI薄膜上,UV固化后化学镀铜10 min,所得镀铜层颗粒细小、致密,与基材的结合力达100%,方阻为0.046?/□。

银活化液在PCB化学镀铜的研究

文章简述了印制电路板孔金属化用的各种钯活化液的原理和特点,提出了一种银活化液,并将其催化活性和催化效果与胶体钯进行了对比。结果表明银活化用于化学镀铜,诱导时间快,可以节约成本。

等离子去钻污参数优化研究

等离子技术在印制电路领域已经广泛应用。主要应用于清洁、除胶、活化和凹蚀，其中除胶应用最广泛。文章首先在理解等离子蚀刻机理的基础上，对等离子蚀刻均匀性进行了研究，研究结果显示：影响等离子蚀刻均匀性的主要因素有边际效应、流量效应和周边气体效应，三者使等离子蚀刻呈“W型分布”。文章对“W型分布”机理进行了理论解释，并利用“W型分布”理论对等离子设备腔体的挡板及装板方式进行了优化。改善后等离子蚀刻均匀性由62．7％提升到了89．7％。文章还对等离子去钻污参数进行了研究。通过优化去钻污参数，等离子层间分离报废由23．9m^2／月降至0．49m^2／月，改善效果明显。

水平孔化背光改善研究

金属化孔质量直接关系到印制电路板的质量及可靠性，而镀层空洞的多少对孔壁质量的影响很大。评价孔壁镀层空洞的方法为测试沉铜层背光。文章以流程分析法，通过试验找到了影响沉铜背光不良的根本原因。并对产生机理进行了理论分析：去钻污后，板件孔壁吸附的中和调整剂经过烘干时其分子结构被破坏，影响沉铜活化钯离子在孔壁的吸附，进而导致背光不良。最终，文章针对失效根因进行了改善。将沉铜背光等级由8．5-9级提升至9．5级以上，改善了沉铜加工品质。

多层电路板凹蚀工艺能力提升研究

等离子技术在PCB领域已经广泛应用,主要应用于清洁、活化和凹蚀,其中凹蚀应用最广泛.文章以孔的密集程度、内层铜层次及厚径比为因子,设计不同孔型的试验板;以去钻污功率、时间、温度和真空度为试验因子,设计正交试验,研究了不同去钻污参数对试验板凹蚀效果的影响,并对其影响进行评估,找到了不同厚径比条件下的最佳凹蚀参数,其结果可作为凹蚀最优化生产的参考.

S-羧乙基异硫脲鎓盐对化学镀镍的影响

研究了不同浓度的S-羧乙基异硫脲鎓盐(ATPN)对酸性化学镀镍的沉积速率和镀层表面形貌的影响,通过极化曲线研究了化学镍的阴、阳极过程。结果表明,ATPN能使镀层表面结晶细致。在ATPN的添加量小于11 mg/L时,ATPN通过其分子中的S原子的电子效应,降低次磷酸根在镍表面的吸附能,因此随着ATPN的增加,次磷酸钠氧化加快,化学镀镍沉积速率加快。当ATPN添加量超过11 mg/L后,ATPN与镍形成很稳定的表面吸附配合物,减少了次磷酸钠在镍表面的吸附,因此随ATPN添加,次磷酸钠氧化受到抑制,沉积速率变小。当镍表面被ATPN完全覆盖,则会发生停镀或者不起镀。适宜的ATPN添加量为8～13 mg/L。