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IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻
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作者 曹茂旺 陈治明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期276-281,共6页
为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其... 为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其尺寸对Ｒｐ大小的影响． 展开更多
关键词 IGBT 寄生晶闸管 发射结 分流电阻 晶闸管
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