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基于InSe/MoTe_(2)异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器
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作者 邢艳辉 贺雯馨 +8 位作者 韩梓硕 关宝璐 马海鑫 马晓辉 韩军 时文华 张宝顺 吕伟明 曾中明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期314-321,共8页
基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器。本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe_(2))垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在365~965 nm波长范围内具有出色的宽光谱探测能力。顶层的InSe用作调... 基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器。本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe_(2))垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在365~965 nm波长范围内具有出色的宽光谱探测能力。顶层的InSe用作调节沟道电流的光栅层,MoTe_(2)则用作传输层。通过结合两种材料的优势,该光电探测器的响应时间为21.6 ms,比探测率在365 nm光照下可以达到1.05×10^(13)Jones,在965 nm光照下也可达到109 Jones数量级。外量子效率可达1.03×10^(5)%,显示出强大的光电转换能力。 展开更多
关键词 二维材料 宽带光电探测器 光栅效应 超灵敏
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小尺度物体内部多磁源反演技术
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作者 荀宇洁 姜春宇 +3 位作者 王逸群 张宝顺 曾中明 吴东岷 《科学技术与工程》 北大核心 2024年第25期10808-10814,共7页
为解决对小尺度物体内部多个磁场源反演能力差的问题,提出了小尺度物体内部多磁源反演技术。利用原子磁强计采集磁源信号,基于弱磁理论反演磁源分布,引入分布源模型、高斯-赛德尔迭代算法优化求解过程,开展正反演模型验证。同时,采用点... 为解决对小尺度物体内部多个磁场源反演能力差的问题,提出了小尺度物体内部多磁源反演技术。利用原子磁强计采集磁源信号,基于弱磁理论反演磁源分布,引入分布源模型、高斯-赛德尔迭代算法优化求解过程,开展正反演模型验证。同时,采用点源模型去卷积操作提升磁源的空间分辨率,去卷积前系统空间分辨率约为10 mm,去卷积后小于4 mm。结果显示磁源反演的空间位置分布大致接近真实,验证了反演技术的正确性,可用于精密仪器内部磁源的识别应用。该研究开辟了部分精密仪器内部多磁源探测的新途径。 展开更多
关键词 磁源分布 磁源反演系统 分布源模型 高斯-赛德尔迭代算法 去卷积
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面向FPGA-TDL-TDC的延迟时间逐位校准网络
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作者 许玥 谢杰 +2 位作者 曾中明 张宝顺 吴东岷 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2024年第7期89-96,共8页
时间数字转换器(TDC)是一种将信号脉冲之间时间间隔的连续模拟量转换为离散数字量的设备。基于现场可编程逻辑门阵列(FPGA)内部进位链资源实现抽头延迟链-时间数字转换器(TDL-TDC)的方法被广泛应用,但TDL-TDC中每个延迟单元的延迟时间... 时间数字转换器(TDC)是一种将信号脉冲之间时间间隔的连续模拟量转换为离散数字量的设备。基于现场可编程逻辑门阵列(FPGA)内部进位链资源实现抽头延迟链-时间数字转换器(TDL-TDC)的方法被广泛应用,但TDL-TDC中每个延迟单元的延迟时间数值受运行温度变化的影响较大,目前使用码密度测试、线性补偿或高阶泰勒函数拟合等的TDC校准方法不能很好地拟合复杂温度变化情况下长延迟链中各单元延迟时间的变化趋势。为继续满足TDC工作精度要求,提出了一种基于多层感知机(MLP)的神经网络校准方案,以延迟链中128个延迟单元的延迟时间数据和相应温度数据作为训练样本建立4层MLP。工作时通过反馈当前运行温度信息,可以独立给出每个延迟单元的延迟时间数值,以用于计算待测脉冲之间的时间间隔。实验验证了校准网络对温度变化的补偿作用,该网络可以移植于不同的FPGA芯片。测量得到校准网络的准确率为91%,实现TDC分辨率为34 ps。 展开更多
关键词 现场可编程逻辑门阵列 抽头延迟链-时间数字转换器 多层感知机 神经网络校准
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High responsivity photodetectors based on graphene/WSe_(2) heterostructure by photogating effect 被引量:1
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作者 李淑萍 雷挺 +5 位作者 严仲兴 王燕 张黎可 涂华垚 时文华 曾中明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期728-733,共6页
Graphene, with its zero-bandgap electronic structure, is a highly promising ultra-broadband light absorbing material.However, the performance of graphene-based photodetectors is limited by weak absorption efficiency a... Graphene, with its zero-bandgap electronic structure, is a highly promising ultra-broadband light absorbing material.However, the performance of graphene-based photodetectors is limited by weak absorption efficiency and rapid recombination of photoexcited carriers, leading to poor photodetection performance. Here, inspired by the photogating effect, we demonstrated a highly sensitive photodetector based on graphene/WSe_(2) vertical heterostructure where the WSe_(2) layer acts as both the light absorption layer and the localized grating layer. The graphene conductive channel is induced to produce more carriers by capacitive coupling. Due to the strong light absorption and high external quantum efficiency of multilayer WSe_(2), as well as the high carrier mobility of graphene, a high photocurrent is generated in the vertical heterostructure. As a result, the photodetector exhibits ultra-high responsivity of 3.85×10~4A/W and external quantum efficiency of 1.3 × 10~7%.This finding demonstrates that photogating structures can effectively enhance the sensitivity of graphene-based photodetectors and may have great potential applications in future optoelectronic devices. 展开更多
关键词 WSe_(2) HETEROSTRUCTURE PHOTODETECTOR photogating effect
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不同Mo层厚度的AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构上MOCVD外延GaN 被引量:2
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作者 李嘉豪 韩军 +6 位作者 邢艳辉 董晟园 王冰辉 任建华 曾中明 张宝顺 邓旭光 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1077-1084,共8页
采用脉冲直流磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构薄膜,在该结构上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光... 采用脉冲直流磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构薄膜,在该结构上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光谱研究了Mo插入层的厚度对Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层和GaN外延层晶体质量的影响,研究了Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层对Mo上生长的GaN外延层的影响。研究结果表明,Mo插入层的厚度是影响Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层和GaN外延层的重要因素,Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层对Mo上GaN晶体质量的提高具有重要意义。随Mo厚度的增加,Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层的表面粗糙度先减小后增大,GaN外延层的(002)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽先减小后增大。当Mo插入层厚度为400 nm时,GaN外延层的晶体质量最好,GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半峰全宽为0.51°,由拉曼光谱计算得到的压应力483.09 MPa;直接在Mo上进行GaN的外延,GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半峰全宽无法测得,说明在Mo上进行GaN的外延需要Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层。 展开更多
关键词 GAN 金属有机化学气相沉积(MOCVD) ScAlN X射线衍射
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基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器
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作者 王冰辉 邢艳辉 +8 位作者 贺雯馨 关宝璐 韩军 董晟园 李嘉豪 方佩景 韩梓硕 张宝顺 曾中明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期659-665,共7页
我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm... 我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm下具有813 A/W的响应度。并且,在965nm光照下它仍然具有371 A/W的高响应度,1.3×10^(5)%的外量子效率,3.17×10^(12)Jones的比探测率,以及27 ms的响应时间。该研究为高响应宽带光电探测器提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 二维材料 异质结 宽带光电探测器
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Magnetism Measurements of Two-Dimensional van der Waals Antiferromagnet CrPS_(4)Using Dynamic Cantilever Magnetometry
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作者 Qi Li Weili Zhen +10 位作者 Ning Wang Meng Shi Yang Yu Senyang Pan Lin Deng Jiaqiang Cai Kang Wang Lvkuan Zou Zhongming Zeng Zhaosheng Wang Jinglei Zhang 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第10期123-128,共6页
Recent experimental and theoretical work has focused on two-dimensional van der Waals(2D vdW)magnets due to their potential applications in sensing and spintronics devises.In measurements of these emerging materials,c... Recent experimental and theoretical work has focused on two-dimensional van der Waals(2D vdW)magnets due to their potential applications in sensing and spintronics devises.In measurements of these emerging materials,conventional magnetometry often encounters challenges in characterizing the magnetic properties of small-sized vdW materials,especially for antiferromagnets with nearly compensated magnetic moments.Here,we investigate the magnetism of 2D antiferromagnet CrPS_(4)with a thickness of 8nm by using dynamic cantilever magnetometry(DCM). 展开更多
关键词 (4) MAGNETS Magnet
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ABO_3钙钛型电子陶瓷材料的研究进展 被引量:3
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作者 曾中明 陈国华 《佛山陶瓷》 2002年第7期1-4,共4页
概述了ABO3钙钛型电子陶瓷材料的一些成果及具有该结构主晶相的功能材料在PTC元件、铁电、压电、微波陶瓷元件等领域的应用与前景。
关键词 ABO3钙钛型 电子陶瓷材料 研究进展 PTC 铁电 压电 微波陶瓷
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BaPbO_3多功能导电陶瓷的研究进展 被引量:2
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作者 曾中明 林培豪 《佛山陶瓷》 2003年第2期7-11,共5页
BaPbO3是一种多功能钙钛矿氧化物,具有优异的导电性和PTC特性,80年代发现通过掺杂Bi后还具有超导性,因而引起广泛关注。本文概述了BaPbO3的研究进展及应用情况,并着重论述了BaPbO3的导电机制和元素掺杂对BaPbO3的影响以及国内的研究现状... BaPbO3是一种多功能钙钛矿氧化物,具有优异的导电性和PTC特性,80年代发现通过掺杂Bi后还具有超导性,因而引起广泛关注。本文概述了BaPbO3的研究进展及应用情况,并着重论述了BaPbO3的导电机制和元素掺杂对BaPbO3的影响以及国内的研究现状,展望了其未来的发展趋势。 展开更多
关键词 多功能钙钛矿氧化物 BAPBO3 多功能导电陶瓷 研究进展
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几种半导体气敏陶瓷材料的发展概况 被引量:3
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作者 曾中明 《佛山陶瓷》 2002年第8期1-3,共3页
本文综合介绍了几种主要气敏陶瓷材料及元件的发展概况,并分析了它们的发展趋势。
关键词 半导体 气敏陶瓷材料 发展 半导体陶瓷 敏感材料
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MgB_2超导电性研究进展 被引量:11
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作者 刘心宇 黄勇 曾中明 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2003年第1期104-109,共6页
20 0 1年 1月所发现的MgB2 超导体具有 39K的临界转变温度 ,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体。它可能做为一种新型低成本高性能超导材料而受到广泛关注。本文简述了近期对MgB2 超导体的研究工作 ,介绍了近期主要有关MgB2 超... 20 0 1年 1月所发现的MgB2 超导体具有 39K的临界转变温度 ,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体。它可能做为一种新型低成本高性能超导材料而受到广泛关注。本文简述了近期对MgB2 超导体的研究工作 ,介绍了近期主要有关MgB2 超导体电子结构研究和应用开发的工作 ,着重叙述了关于MgB2 超导机制的研究。 展开更多
关键词 MGB2超导体 超导电性 电子结构 超导机制 二硼化镁 线材 薄膜 抗磁场能力
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液相共沉淀法制备BaPbO_3导电陶瓷的研究 被引量:3
12
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期547-551,共5页
利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的... 利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC) 展开更多
关键词 铅酸钡 导电陶瓷 液相共沉淀法
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共沉淀法制备La-BaPbO_3导电陶瓷的研究 被引量:2
13
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期234-237,共4页
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷 ;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究 ,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1 -xLaxPbO3的合成温度 ;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明 :采... 采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷 ;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究 ,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1 -xLaxPbO3的合成温度 ;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低Ba1 -xLaxPbO3粉末的合成温度 ,提高粉体的合成率 ,其合成温度大约在 65 0℃左右 ;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈W形状变化 ,当x =0 1时Ba1 -xLaxPbO3的焙烧温度、形貌。 展开更多
关键词 稀土 BAPBO3 导电陶瓷 液相共沉淀法 铅酸钡
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稀土La对导电陶瓷BaPbO_3组织和电性能的影响 被引量:1
14
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期140-143,共4页
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO_3导电陶瓷;用XRD及SEM对粉末的结构和组织进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba_(1-x)La_xPbO_3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO_3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明:采用液... 采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO_3导电陶瓷;用XRD及SEM对粉末的结构和组织进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba_(1-x)La_xPbO_3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO_3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba_(1-x)La_xPbO_3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO_3的电阻率的影响呈“W”形状变化,当x=10%mol时Ba_(1-x)La_xPbO_3的焙烧温度、组织、电阻率均达到最佳。 展开更多
关键词 稀土 BAPBO3 导电陶瓷 液相共沉淀法
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MgB_2基超导材料研究进展 被引量:2
15
作者 黄勇 刘心宇 曾中明 《自然杂志》 北大核心 2003年第1期31-36,共6页
20 0 1年 1月发现MgB2 基超导体具有 39K的临界转变温度 ,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体 ,国内外对MgB2 基超导材料进行了广泛而又深入的研究 .本文简述了近期对MgB2 基超导材料的研究进展 ,介绍了近期主要有关MgB2 基超导... 20 0 1年 1月发现MgB2 基超导体具有 39K的临界转变温度 ,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体 ,国内外对MgB2 基超导材料进行了广泛而又深入的研究 .本文简述了近期对MgB2 基超导材料的研究进展 ,介绍了近期主要有关MgB2 基超导材料电子结构研究和应用开发的工作 ,着重叙述了关于其超导机制的研究 . 展开更多
关键词 MgB2基超导材料 电子结构 超导机制 二硼化镁
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1050铝合金热轧流变应力研究 被引量:3
16
作者 黄勇 刘心宇 曾中明 《轻合金加工技术》 CAS 2002年第9期15-17,共3页
对1050铝合金进行了热轧试验,当达到很大的积累应变时,会产生饱和的流变应力。研究了热变形过程对1050铝合金流变应力和软化规律的影响。结果表明,1050铝合金在热加工时,屈服应力σs随变形温度的升高而降低,随变形速度的增大而增大。
关键词 铝合金 热轧 流变应力
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纳米磁性材料的研究进展 被引量:7
17
作者 林培豪 曾中明 《电工材料》 CAS 2002年第2期36-40,共5页
介绍了纳米微粒在纳米磁粉材料、纳米微晶软磁材料、纳米微晶稀士磁性材料、巨磁电阻材料和纳米磁致冷材料等领域的应用以及制备纳米微晶磁性材料的常用方法。
关键词 纳米磁性材料 纳米微晶 磁性材料 机械合金化 纳米材料
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液相共沉淀法制备BaPbO_3导电陶瓷粉末 被引量:1
18
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《湘潭矿业学院学报》 2003年第2期44-47,共4页
利用液相共沉淀法,以BaCO_3和PbO为原料制备了BaPbO_3陶瓷粉末,讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO_3粉末的... 利用液相共沉淀法,以BaCO_3和PbO为原料制备了BaPbO_3陶瓷粉末,讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO_3粉末的合成温度,其合成温度约为650℃左右;液相法制备的BaPbO_3粉末的纯度高、粒度细;适当地提高升温速度可提高BaPbO_3粉体的合成率和降低BaPbO_3粉体的合成温度。图6,参12。 展开更多
关键词 BAPBO3 导电陶瓷 液相共沉淀法
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掺杂对PTC陶瓷材料影响的研究 被引量:3
19
作者 林培豪 曾中明 《佛山陶瓷》 2003年第9期4-7,共4页
概述了常用的施主掺杂和受主掺杂对PTC功能陶瓷材料的影响的研究进展,并展望了它的发展趋势。
关键词 PTC陶瓷 施主掺杂 受主掺杂 功能陶瓷
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磁性隧道结的双势垒层的全息相位图
20
作者 王勇 王凤莲 +2 位作者 张泽 曾中明 韩秀峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期352-352,共1页
关键词 全息显微术 势垒层 相位图 磁性隧道结 相位变化 电子波 相位信息 电场分布 显微分析
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