取代基团对吡唑硼-亚铁体系自旋交叉配合物性能的影响

通过不同取代基对吡唑环配体进行修饰,制备了6种基于吡唑硼-亚铁的自旋交叉配合物,研究了取代基对自旋转变性能的影响。实验发现,吡唑硼-亚铁配合物均具有渐变型的自旋转变特性。吸电子取代基可以降低吡唑环的电子云密度,有利于低自旋态稳定,使得自旋转变温度升高;供电子取代基则增加了吡唑环的电子云密度,有利于高自旋态稳定,使得自旋转变温度降低;此外,具有较大空间位阻的取代基会抑制Fe-N键的增长,有利于低自旋态的稳定,使得自旋转变温度升高。本研究表明自旋交叉配合物的自旋转变温度可以通过配体修饰实现有效调控。

可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件

自旋交叉配合物在温度、压力、光照和磁场等刺激下可以发生高低自旋态之间的可逆转变,通常还伴随着颜色、体积和电导率变化以及热滞等效应,因此这类材料在光热开关、传感器、显示和存储等领域具有潜在的应用.由于可以获得高质量的超洁净薄膜,高真空蒸镀工艺常用于分子电子学与分子磁学等的器件制备,目前报道的可蒸镀自旋交叉配合物种类较少,大大限制了自旋交叉配合物的器件应用.针对可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件进行了系统的综述,介绍了几种主要的适于高真空蒸镀的自旋交叉配合物,结合不同的表征手段分析了衬底对分子薄膜自旋转变特性的影响,并针对相关的概念性器件进行了讨论,最后对自旋交叉配合物在器件应用中存在的难点和未来的发展趋势进行了展望和评述,希望能够为自旋交叉领域的器件应用提供一些借鉴.