期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
As离子注入碲镉汞的p^+n结红外探测器
1
作者
赵晋云
曾戈红
马智玲
《红外技术》
CSCD
北大核心
2002年第4期46-48,26,共4页
讨论了制作pn结的另一种途径 ,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型 p+层来获得 p+n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论 ,阐述了两种制作 pn结工艺的特点。实验表明 ,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成...
讨论了制作pn结的另一种途径 ,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型 p+层来获得 p+n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论 ,阐述了两种制作 pn结工艺的特点。实验表明 ,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活 ,而不会改变HgCdTe组份。已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的 p+n结光伏红外探测器。
展开更多
关键词
红外探测器
碲镉汞
p^+n结
退火
As离子
注入
下载PDF
职称材料
题名
As离子注入碲镉汞的p^+n结红外探测器
1
作者
赵晋云
曾戈红
马智玲
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2002年第4期46-48,26,共4页
文摘
讨论了制作pn结的另一种途径 ,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型 p+层来获得 p+n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论 ,阐述了两种制作 pn结工艺的特点。实验表明 ,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活 ,而不会改变HgCdTe组份。已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的 p+n结光伏红外探测器。
关键词
红外探测器
碲镉汞
p^+n结
退火
As离子
注入
Keywords
HgCdTe
pn junction
infrared detector
anneal
As + ion implantation
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
As离子注入碲镉汞的p^+n结红外探测器
赵晋云
曾戈红
马智玲
《红外技术》
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部