AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案

基于AlGaN/GaN异质结构的横向肖特基势垒二极管(SBD)在新一代功率电子技术中具有应用潜力。而面对复杂电气环境中的电流过冲及振荡效应,抗浪涌电流能力是器件可靠工作的重要保障。首先通过对混合阳极结构的优化,降低了AlGaN/GaN基SBD的开启电压(0.22 V),并提高了器件正向导通能力;在此基础上,通过半正弦脉冲电流产生电路评估了器件的抗浪涌电流能力,发现采用引线键合封装的器件可承受的最大浪涌电流密度约为250 A/cm^(2),这一电流强度主要受限于肖特基电极边缘电流拥挤效应导致的热击穿。为提高近表面器件沟道的散热能力,采用了倒装的封装方式。实验证实倒装封装可以有效抑制热集聚效应,并提高器件的抗浪涌电流能力。