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PbSe-MnSe纳米复合热电材料的微结构和电热输运性能
被引量:
3
1
作者
张玉
吴立华
+4 位作者
曾李骄开
刘叶烽
张继业
邢娟娟
骆军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期279-287,共9页
相比于常见的热电材料PbTe,另一种硫族铅化合物PbSe具有熔点高、Se储量更丰富等优势,从而越来越受到科学界的关注.本文采用熔融淬火结合快速热压烧结工艺制备了Pb_(0.98-x)Mn_xNa_(0.02)Se(0 ≤x≤0.12)纳米复合热电材料,系统地研究了不...
相比于常见的热电材料PbTe,另一种硫族铅化合物PbSe具有熔点高、Se储量更丰富等优势,从而越来越受到科学界的关注.本文采用熔融淬火结合快速热压烧结工艺制备了Pb_(0.98-x)Mn_xNa_(0.02)Se(0 ≤x≤0.12)纳米复合热电材料,系统地研究了不同Mn含量对材料微纳结构、机械性能和热电性能的影响规律.发现纳米复合样品中有面心立方结构的Mn Se球状和薄层状析出物,显微硬度得到显著增强.少量固溶的Mn增加了能带简并度,使功率因子提高,球状析出物使声子散射增强、热导率降低,体系的热电优值ZT得到优化;但是当Mn含量更高时,赛贝克系数趋于饱和,连续析出物使晶格热导率反常增大,ZT没有得到进一步改善.通过进一步调节Na含量优化了载流子浓度,获得了ZT=0.65的PbSe-Mn Se纳米复合热电材料.
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关键词
纳米复合
热电材料
PBSE
下载PDF
职称材料
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
2
作者
滕家琪
闵嘉华
+5 位作者
梁小燕
周捷
张涛
时彬彬
杨升
曾李骄开
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期829-833,共5页
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺...
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
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关键词
PICTS
CDZNTE
深能级
缺陷
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职称材料
题名
PbSe-MnSe纳米复合热电材料的微结构和电热输运性能
被引量:
3
1
作者
张玉
吴立华
曾李骄开
刘叶烽
张继业
邢娟娟
骆军
机构
上海大学材料科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期279-287,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:51371194
51172276)资助的课题~~
文摘
相比于常见的热电材料PbTe,另一种硫族铅化合物PbSe具有熔点高、Se储量更丰富等优势,从而越来越受到科学界的关注.本文采用熔融淬火结合快速热压烧结工艺制备了Pb_(0.98-x)Mn_xNa_(0.02)Se(0 ≤x≤0.12)纳米复合热电材料,系统地研究了不同Mn含量对材料微纳结构、机械性能和热电性能的影响规律.发现纳米复合样品中有面心立方结构的Mn Se球状和薄层状析出物,显微硬度得到显著增强.少量固溶的Mn增加了能带简并度,使功率因子提高,球状析出物使声子散射增强、热导率降低,体系的热电优值ZT得到优化;但是当Mn含量更高时,赛贝克系数趋于饱和,连续析出物使晶格热导率反常增大,ZT没有得到进一步改善.通过进一步调节Na含量优化了载流子浓度,获得了ZT=0.65的PbSe-Mn Se纳米复合热电材料.
关键词
纳米复合
热电材料
PBSE
Keywords
nano-composites
thermoelectric materials
Pb Se
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
2
作者
滕家琪
闵嘉华
梁小燕
周捷
张涛
时彬彬
杨升
曾李骄开
机构
上海大学电子信息材料系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期829-833,共5页
基金
国家自然科学基金(11275122)
上海市科委重点项目(11530500200)
上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)
文摘
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
关键词
PICTS
CDZNTE
深能级
缺陷
Keywords
PICTS
CdZnTe
deep energy level
defect
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PbSe-MnSe纳米复合热电材料的微结构和电热输运性能
张玉
吴立华
曾李骄开
刘叶烽
张继业
邢娟娟
骆军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
2
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
滕家琪
闵嘉华
梁小燕
周捷
张涛
时彬彬
杨升
曾李骄开
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
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