力推地方国库管理制度改革

地方财政推行财政国库管理制度改革必须遵循四项基本原则，即有利于规范操作原则，有利于管理监督原则，有利于方便用款原则和有利于分步实施原则。

出手不凡，可惜出手太晚索尼爱立信X10

索尼爱立信Xperia X10（简称X10）从2009年11月3号发布，到2010年3月下旬正式上市。中间间隔5个月的时间。如果算上发布之前的各种预告和流言，从大家知道有这款Android手机，到看到真机。时间差不多有一年。

正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比

正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比C_D/C_x。

硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。

在p型硅MOS结构Si/SiO_2界面区中与金有关的界面态和深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO_2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO_2界面缺陷H_(it)(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-H_(it)(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO_2界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分布不是单调地向界面增加,而是在距界面0.37μm处有一个最大值。

稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。