非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源

采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,光谱半宽由原来的 2 0～ 30nm ,增加到 4 5～ 6 0nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力 ,在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下 ,器件最大峰值功率已达到 15 0mW以上。

倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源

为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,在原有的将超辐射发光管 (SLD)与半导体光放大器 (SOA)单片集成的基础上 ,将器件电流注入区中心轴线倾斜 6° ,制得了 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下 ,得到了 38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度 (FWHM )和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为 16nm ,15°和 6 4°。同时 ,通过对该集成器件特性的研究 。

倾斜脊形波导集成超辐射光源

在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上 ,增加了脊形波导结构 ,制得了新型的 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力。在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下 ,未见激射模式的出现 ,大大地提高了超辐射功率的输出。最大峰值功率已达到110mW。