含噻吩环1,2,4-噁二唑类衍生物的合成及光电性能

以硫代二甘酸和取代苯甲腈为原料,经酯化、环化、酸化等反应合成了2,5-双[3-苯基-1,2,4-噁二唑-5-基]-3,4-二丁氧基噻吩衍生物,通过1HNMR、FTIR和元素分析进行了结构表征,并考察了该系列化合物的紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱及电化学性质。该系列化合物紫外吸收出现在240～250nm和320～350nm两个波段;荧光发射峰位于395～401.5nm,且随苯环上取代基供电子性的增强而规律性红移;循环伏安测定结果表明,该系列化合物中ⅧA、ⅧB、ⅧC和ⅧF具有高于常用电子传输材料2-(4-联苯基)-5-对叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)的电子亲和势,因而该类化合物的研究,对设计小分子类电致发光材料有重要意义。

N-乙酰基-3,3-双(3-(4-氯苯基)-1,2,4-噁二唑-5-基)-1H-吲哚-2(3H)-酮的合成及其晶体结构

标题化合物C28H19C l2N5O4由2分子5-(一氯甲基)-3-(4-氯苯基)-1,2,4-噁二唑和1分子N-乙酰基-吲哚-2-酮反应,用乙酸乙酯重结晶得到.在该化合物的晶体结构中,一个结构单元中包含2分子的N-乙酰基-3,3-双(3-(4-氯苯基)-1,2,4-噁二唑-5-基)-1H-吲哚-2(3H)-酮.其结构通过X-射线衍射法确定,晶体属于单斜晶系,P21/c空间群,Mr=1 119.76,a=13.747(3)nm,b=16.308(3)nm,c=23.433(5)nm,β=97.20(3),°V=5 211.9(19)nm3,dc=1.427 g/cm3,Z=4,F(000)=2 300,μ=0.294 mm-1,最终偏差因子分别为R=0.088 6,wR=0.212 0,分子之间通过相邻分子间形成的C—H…O氢键相连.