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背面Ar^+轰击对n^-沟MOSFET特性的影响 被引量:2
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作者 黄美浅 李观启 曾绍洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期774-778,共5页
研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减... 研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减小 ,随后变大 ;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大 ,随后减小 .实验证明 。 展开更多
关键词 背面Ar^+轰击 MOSFET 场效应晶体管
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云浮硫铁矿尾矿特性及其用作辅助性胶凝材料的性能分析
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作者 殷素红 曾绍洪 +1 位作者 曹文湘 吴焕勋 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2022年第8期2800-2809,共10页
云浮硫铁矿尾矿堆存量巨大,影响周边环境且浪费资源。本文探讨将尾矿用作辅助性胶凝材料的可行性,以期实现尾矿的高消纳量利用,分析了尾矿的矿物与化学组成以及硫的赋存状态及含量,研究了尾矿用作辅助性胶凝材料的性能和含有的石膏、黄... 云浮硫铁矿尾矿堆存量巨大,影响周边环境且浪费资源。本文探讨将尾矿用作辅助性胶凝材料的可行性,以期实现尾矿的高消纳量利用,分析了尾矿的矿物与化学组成以及硫的赋存状态及含量,研究了尾矿用作辅助性胶凝材料的性能和含有的石膏、黄铁矿的演变及其对性能的影响。结果表明:云浮硫铁矿尾矿属于高硫型尾矿,尾矿中的硫以黄铁矿(FeS_(2))、磁黄铁矿(Fe_(1-x)S)、石膏三种矿物形态存在;在硬化水泥浆体中,尾矿中的FeS_(2)在180 d龄期时氧化程度仍很低;石膏在28 d龄期时大部分已反应生成钙矾石(AFt),是影响性能的主要因素;掺30%(质量分数)硫铁矿尾矿的水泥胶砂28 d活性指数最高可达74%,但相较于3 d和7 d,28 d活性指数不增长甚至下降,180 d龄期抗压强度出现倒缩;将尾矿同时用作水泥混合材和调凝剂可能是一种更好的利用方式。 展开更多
关键词 云浮硫铁矿尾矿 辅助性胶凝材料 硫赋存状态 硫含量 FeS_(2)氧化 AFt膨胀
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分布式光纤桩基检测数据智能化处理方案的研究与应用 被引量:8
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作者 苗鹏勇 王宝军 +2 位作者 施斌 曾绍洪 孟志浩 《工程地质学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期1610-1616,共7页
分布式光纤桩基检测时会产生大量的检测数据,对这些数据快速、准确的处理已成为当前分布式光纤桩基检测一个急需解决的问题,但是当前还没有专门的分布式光纤数据处理软件。介绍了桩基检测时,光纤的埋设工艺及数据处理面临的关键问题。... 分布式光纤桩基检测时会产生大量的检测数据,对这些数据快速、准确的处理已成为当前分布式光纤桩基检测一个急需解决的问题,但是当前还没有专门的分布式光纤数据处理软件。介绍了桩基检测时,光纤的埋设工艺及数据处理面临的关键问题。根据感测光纤埋设特点以及后期数据处理过程中的关键步骤,提出了一个检测数据智能化处理的方案;并根据该方案用计算机语言编程生成了可独立运行的分布式光纤数据处理系统(Distributed optical fiber data processing system,简称DOFDPS);最后用工程实测数据对该软件的实际应用效果进行了验证。结果表明:该应用程序操作简单,能够对数据进行快速、准确、智能化的处理;处理结果能够真实反映实际情况,可以满足桩基检测数据处理的要求,可在分布式光纤桩基检测的数据处理中推广应用。 展开更多
关键词 分布式光纤 桩基检测 数据处理 智能化
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硅衬底的SrTiO_3淀积膜的湿敏特性与机理研究 被引量:3
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作者 李观启 尤文俊 +2 位作者 黄美浅 曾绍洪 黄钊洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期160-167,共8页
对无定形多孔SrTiO3膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析.该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料.实验样品用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积SrTiO3膜并制成平面型电阻结构.结果表明,在室温下,当... 对无定形多孔SrTiO3膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析.该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料.实验样品用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积SrTiO3膜并制成平面型电阻结构.结果表明,在室温下,当相对湿度从12%变化至53%时,电流缓慢下降;而当相对湿度从53%变化至92%时,电流又显著上升,即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性.电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大.吸附响应时间明显长于脱附时间. 展开更多
关键词 硅衬底 陶瓷半导体 薄膜 钛酸锶 湿敏特性
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