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题名X波段HPM窄脉冲高峰值功率T/R组件设计与实践
被引量:1
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作者
余振坤
郑新
田为
曾贵炜
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机构
中国电子科技集团公司第十四研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第4期11-15,共5页
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文摘
第三代半导体技术的快速发展及固态功率器件峰值功率的大幅提高,使得构建基于有源相控阵体制的高功率微波系统成为可能。与传统的相控阵雷达系统相比,其射频工作脉冲最窄要求十纳秒以下,而输出功率要达到万瓦量级,采用传统设计方法已经无法实现。文中研制了用于高功率微波系统的X波段T/R组件及其关键技术,该组件基于新型GaN大功率微波器件,采用放大链稳定级联设计实现了高峰值输出功率(数千瓦);通过高压大电流调制器和窄脉冲微波功率放大技术实现了10纳秒脉宽射频的放大输出,其前后沿达纳秒量级;应用小型化大功率合成和8通道高功率集成一体化满足结构小型化要求,阵面单位面积下的功率密度达到300W/cm^2。经测试,T/R组件性能指标满足高功率微波系统的要求,验证了固态高功率微波(HPM)相控阵体制的可行性,也为进一步实现工程化系统奠定了技术基础。
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关键词
氮化镓
固态高功率微波组件
收发组件
X波段
窄脉冲宽度
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Keywords
GaN
solid-state HPM module
T/R module
X-band
narrow pulse width
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分类号
TN958.92
[电子电信—信号与信息处理]
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