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1
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掺（As,B）硅中的磷扩散 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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2
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低温掺磷碳化硅薄膜生长 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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3
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在Ⅲ族氮化物生长中氢的作用 |
未休
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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4
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在蓝宝石上生长ZnO单晶膜 |
未休
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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5
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等离子体激发MOVPE生长GaInN／蓝宝石结构 |
未休
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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6
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重掺Te的GaAs外延生长 |
未休
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《电子材料快报》
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1996 |
0 |
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7
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硅中注入C^＋生成发兰光的多孔β—SiC |
未休
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《电子材料快报》
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1996 |
0 |
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8
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超高二维空穴气迁移率 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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9
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用碘传输法生长CuAlS2／CuGaS2结构 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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10
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高压制备高温超导体新系列：GaSr2Can—1CunO2n＋3（n=3,4） |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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11
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掺镁GaN的强存储效应研究 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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12
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YBa2Cu3Ox单晶生长速率的原位观察 |
未休
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《电子材料快报》
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2000 |
0 |
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13
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中红外InAsSb的外延生长 |
未休
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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14
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μ—PD工艺生长GexSi1—x纤维单晶 |
未休
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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15
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YBa2Cu3O7—x薄膜中表面电阻与微缺陷的相关性 |
未休
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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16
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液相外延生长LiNbO3／LiNb1—xTaxO3多层波导材料 |
未休
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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17
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在MgO（100）上生长立方AlN薄膜 |
未休
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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18
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GeO2单晶制备及其特性 |
未休
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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19
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ZnxSr1—xS化合物薄膜 |
未休
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《电子材料快报》
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1996 |
0 |
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20
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InGaN／MgAl2O4多量子阱材料 |
未休
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《电子材料快报》
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1996 |
0 |
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