浅析计算机技术在教学中的应用

以电子计算机的广泛应用为标志的现代科学技术的发展已经深入到我们每个人的工作、学习和生活中,以计算机技术在教学中的应用为基本点,提出了两种应用形式及各自的应用特点和优越性。

高职院校水产养殖专业校企合作产教融合

目前,与我院水产养殖技术专业校企合作的企业均在沿海城市或南方地域,如何解决远距离产教深度融合一直困扰着水产养殖专业的校企合作发展问题,本文围绕高职院校的产教深度融合模式进行探讨,期盼与各届水产同仁交流中得到启迪并破解这项难题。

市场经济条件下对招生就业工作改革的思考

随着改革的不断深入,招生就业工作也面临着新的挑战。因此,新的形势就要求招生就业工作既应立足于自身发展,又要投入到市场经济中去。招生就业工作是教育事业和经济发展的重要组成部分,如何进一步深化改革,适应市场经济的新形势,这是摆在我们面前的一个重要课题。

高质量GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．

Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究

在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构 ,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的 3 C-Si C外延材料 ,并采用 X-射线衍射 (XRD)、双晶 X-射线衍射 (DXRD)和霍尔(Hall)

InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。

对氏族资料的利用与湖南移民史研究

利用氏族资料研究湖南移民史主要经历了两个阶段,一是20世纪30年代由谭其骧撰写的《湖南人由来考》,为利用氏族资料研究湖南移民史树立了典范;二是90年代曹树基的《湖南人由来新考》及张国雄《明清时期的两湖移民》对湖南氏族资料的利用更加广泛,结论也更趋于精确。虽然如此,湖南移民史研究对氏族资料的利用还有很大的空间。

物流企业动态能力构成要素探讨

在动态环境下,动态能力是企业维持竞争优势的关键所在。以战略管理理论中的动态能力理论为基础,分析了物流企业动态能力的构成要素,为物流企业应对动态竞争环境提供了理论基础。

Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。

In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究

用ＧＳＭＢＥ方法生长出了高质量的具有不同阱宽（ｌ～１１ｎｍ）的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料．通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份．对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量．半高宽数值表明，量子阱界面具有原子级的平整度．与７ｎｍ和９ｎｍ阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为４．５ｍｅＶ．

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si

MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。

物流企业动态能力增强途径研究——以利丰公司为例

以战略管理理论中的动态能力理论为基础,从环境感知能力、整合与重新配置资源能力、获取和释放资源能力三个角度,探讨了物流企业增强动态能力的途径和措施,并具体剖析了利丰公司的案例,希望对物流企业的竞争实践提供指导。

中共七大前夕二十五名中央委员浅析

从中共六大到七大,其间长达十七年之久,是我党历次代表大会间隔最长的。为了开好中共第七次全国代表大会,中央正式决定就有八次之多。早在1931年1月的六届四中全会上决定召开七大,并委托中央政治局着手准备,同年9月,经国际批准,又成立了临时中央,不久王明去了莫斯科,驻上海的临时中央,因形势险恶,迁往中央苏区。此后召开的六届五中全会和1938年9月召开的六中全会均增补了不少中央委员和候补中央委员。总之。

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．

探究双臂电桥测量导体直流电阻的技术要点和误差控制

双臂电桥测量导体直流电阻是检验机构普遍采用的试验方法,由于导体电阻测量技术要求高,且试验操作较复杂,本文总结了该项工作实践中的经验。

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料

我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．