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题名带软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路
被引量:2
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作者
朱世蔚
冯全源
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机构
西南交通大学微电子研究所
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第5期632-635,共4页
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基金
国家自然科学基金重大项目(62090012)
国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017)
四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)。
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文摘
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT)。采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspice软件中进行仿真调试。结果表明,在开始一段时间,欠压锁定电路(UVLO)输出低电平,强制使器件处于关断状态;当UVLO输出高电平之后,DESAT被激活并开始检测集电极电压,一旦检测到集电极电压超过预设6.5V阈值电压,便对器件执行软关断动作,软关断的持续时间为10μs。该检测电路实现了UVLO和DESAT对IGBT的协同保护。
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关键词
去饱和过流保护
欠压锁定
绝缘栅双极型晶体管
软关断
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Keywords
desaturation and over-current protection
under-voltage lockout
IGBT
soft turn-of
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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