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带软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路 被引量:2
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作者 朱世蔚 冯全源 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第5期632-635,共4页
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT)。采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspice软件中进行仿真调试。结果表明,在开始一段时间,欠压锁定电路(UVLO)输出低电平,强制使器件处于关断状... 基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT)。采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspice软件中进行仿真调试。结果表明,在开始一段时间,欠压锁定电路(UVLO)输出低电平,强制使器件处于关断状态;当UVLO输出高电平之后,DESAT被激活并开始检测集电极电压,一旦检测到集电极电压超过预设6.5V阈值电压,便对器件执行软关断动作,软关断的持续时间为10μs。该检测电路实现了UVLO和DESAT对IGBT的协同保护。 展开更多
关键词 去饱和过流保护 欠压锁定 绝缘栅双极型晶体管 软关断
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