以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H_2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical Vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层。通过控制沉积温度来控制涂层的表...以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H_2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical Vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层。通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度。研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系。展开更多
文摘以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H_2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical Vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层。通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度。研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系。