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低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景
被引量:
21
1
作者
阮刚
肖夏
朱兆
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期84-87,95,共5页
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
关键词
极大规模集成电路
低介电常数材料
无机介质
下载PDF
职称材料
题名
低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景
被引量:
21
1
作者
阮刚
肖夏
朱兆
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
开姆尼茨技术大学微技术中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期84-87,95,共5页
文摘
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
关键词
极大规模集成电路
低介电常数材料
无机介质
Keywords
ULSI
low dielectric constant material
inorganic dielectric
organic polymer dielectric
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景
阮刚
肖夏
朱兆
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
21
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