Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

经尿道汽化电切术治疗表浅性膀胱肿瘤68例的临床疗效分析

目的探讨68例表浅性膀胱肿瘤患者的临床疗效。方法采用回顾性分析的方法,分析我院收治的表浅性膀胱肿瘤患者的临床资料及治疗情况。结果68例经尿道汽化电切术手术均获得成功,术中无膀胱穿孔、闭孔神经反应、电切综合征发生。手术用时17～78min,平均(29.2±12.5)min,术中出血量16～158mL,平均出血量(62.5±22.3)mL。所有患者均无术后复发发生。对患者术前、术后生活质量进行评分,术后(88.3±13.2)分明显高于术前(63.5±10.1)分,差异有统计学意义(P<0.05)。结论经尿道汽化电切治疗表浅性膀胱肿瘤患者的临床疗效较好,安全性较高,值得临床推广应用。

缓冲层温度对Si(11上GaN表面形貌影响

用不同温度的Al N缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。较低温度下的Al N缓冲层,在衬底表面形成的成核颗粒因温度太低,无法运动到相邻的颗粒而结合成大的成核颗粒,因此成核密度高,成核尺寸小;高温生长的Al N缓冲层,成核颗粒有足够的能量运动到相邻的成核颗粒,因此使成核颗粒的尺寸增大,成核密度低。这种初始成核密度和尺寸的不同,造成外延层形貌的差异,如表面形貌中凹坑的密度和大小就是受初始成核的直接影响。通过实验和分析,提出了外延生长的物理模型。

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。

腹腔镜在泌尿外科中的应用(附42例报告)

目的探讨腹腔镜在治疗肾、输尿管等脏器疾病中的应用价值。方法用腹腔镜经腹腔及后腹腔对42例肾、输尿管疾病患者行手术治疗。结果39例成功,中转开放手术3例,无输血、无严重并发症发生。结论腹腔镜用于肾切除、肾囊肿去顶减压、肾盂、输尿管切开取石术等手术,具有创伤小、出血少、并发症少、机体应激反应轻、免疫功能抑制小、疗效好、安全、可靠等优点。

阴茎完全离断再植加阴囊皮肤移植成功1例报告

总结

严重创伤合并肾损伤的诊治(附23例报告)

回顾件分析２３例严重创伤合并肾损伤患者的临床资料，认为正确及时的诊断和治疗是治愈本病，降低死亡率。

Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。

肾损伤的诊治体会(附78例报告)

目的:探讨肾损伤的诊治方法。方法:回顾性分析78例肾损伤患者的临床资料,男性62例,女性16例,年龄12-70岁,平均38.5岁。肾裂伤22例,肾挫伤52例,肾蒂伤1例;常规剂量或大剂量静脉肾孟造影10例,确诊3例;B超检查70例,确诊63例;CT检查6例,确诊6例;剖腹探查术中确诊58例。结果:治愈75例,保守治疗66例,肾修补4例,肾切除8例,死亡3例。结论:正确及时的诊断是治愈本病,降低死亡率、肾切除率的关键。B超、CT对肾损伤的诊断有优越性。

Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。

S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.

腹腔镜阑尾切除术83例报告

目的:探讨腹腔镜阑尾切除术的优越性。方法:83例阑尾炎患者用腹腔镜手术治疗。结果:83例全部成功,无中转开放手术,无严重并发症发生。结论:腹腔镜阑尾切除术有切口小、隐蔽、美观、手术视野好,术后并发症少、疼痛轻、恢复快、安全、可靠等优点。有条件的应作为治疗阑尾炎的首选。

金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。

具有抵偿面的GPS基线向量网任意带高斯投影模型研究

通过GPS技术获取的空间基线向量和坐标信息是建立在WGS-84坐标系下的,无法直接应用于工程实际。因此使用GPS基线向量网必须将其从WGS-84坐标系转换到测区的平面坐标系统中,这就需要构造一个具有抵偿面的任意带高斯投影模型,来控制和减小边长投影变形。

过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.

真空堆载联合预压作用下地基沉降预测

真空堆载联合预压现场施工加载条件复杂,对地基沉降发展影响较大。利用满载后期沉降曲线与等效线性加载沉降曲线基本相同的特点,基于等效线性加载竖向排水井地基固结理论,提出了根据满载期后的实测沉降数据反演最终沉降的方法,并将其编制为应用程序。对某工程的算例分析表明,该计算方法与三点法结果较为接近,但可避免三点法仅利用个别数据点的缺陷;经验双曲线法推算的最终沉降量最大,实际工程中利用其结果来计算地基固结度时,其值往往偏低。

Ag-TiO_(2)协同低温等离子体氧化降解NO_(x)的研究

采用贵金属掺杂改性的方式制备了不同银掺杂量的Ag-TiO_(2)样品,从而改善TiO_(2)催化剂在低温等离子体氧化脱除氮氧化物(NO_(x))反应过程中的催化性能。通过XRD、SEM、mapping、XPS、UV-Vis、等离子体协同催化性能测试等方法表征分析了改性后催化剂的表面微观形貌、晶体结构、光吸收性能、禁带宽度变化以及催化氧化NO_(x)的性能。结果表明,Ag的掺入明显降低了TiO_(2)样品的晶体粒度,使得催化剂的比表面积增大,光吸收范围稍有变宽,禁带宽度变窄,有效降低了协同催化过程中的电子-空穴复合率,从而显著提升了NO_(x)催化降解性能。其中5%Ag掺杂的Ag-TiO_(2)样品催化效果最为理想,对NO和NO_(x)氧化脱除率分别达到98.4%和86.9%。此外,对5%Ag-TiO_(2)/γ-Al_(2)O_(3)进行了循环稳定性测试。结果表明,经过2次水洗再生后,催化剂对NO和NO_(x)仍表现出较高的催化性能,NO和NO_(x)脱除率分别为96.0%和86.3%。

在FIDIC条款下监理单位对费用索赔的处理

随着外资引进和涉外工程增多,FIDIC条款的使用也越来越广泛.侧重介绍了FIDIC条款下业主的费用管理及费用索赔,从监理单位的角度提出了在FIDIC条款下如何协助业主应对费用索赔的相关措施及策略.