新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.

TFT-LCD的Line Zara失效机制及改善

为了彻底改善TFT-LCD的Line Zara不良,本文建立了Line Zara失效模型,并分析了Line Zara失效机制,其中Line Zara发生率与外力大小及玻璃弯曲形变程度成正比,与框胶至柱状隔垫物距离、框胶粘结力成反比。基于Line Zara的失效机制,针对性地提出了改善措施并进行了实验验证。实验结果表明,减薄时的抛光工艺、减薄后运输箱的填充密度和框胶粘结力对Line Zara有显著的影响。随着抛光压力的减小和时间缩短,Line Zara发生率逐渐减少。随着运输箱中玻璃数量或隔垫物数量的增加,运输箱的填充密度逐渐增大,玻璃受外力发生的弯曲形变逐渐减小,相应的Line Zara发生率逐渐减小;当隔垫物为无尘纸时,玻璃的弯曲形变最小,Line Zara发生率最低。此外,当框胶与ITO粘结力增加12.5%、与PI粘结力增加66%后,Line Zara的发生率可降低至2%以下。TFT-LCD的Line Zara不良可通过降低抛光压力与时间、增加运输箱的填充密度和增加框胶粘结力彻底改善。

Nondoped Electrophosphorescent Organic Light-Emitting Diodes Based on Platinum Complexes

An undoped electrophosphorescent organic light-emitting diode is fabricated using a pure platinum（Ⅱ） （2-phenylpyridinato-N, Ca） （3-benzoyl-camphor） [（ppy）pt（bcam）] phosphorescent layer acting as the emitting layer. A maximum power efficiency Tlp of 6.621m/W and current efficiency of 14.78 cd/A at 745 cd/m2 are obtained from the device. The roll-off percentage of ηp of the pure phosphorescent phosphor layer device is reduced to 5% at a current density of 20mA/cm2, which is about 11% for conventional phosphorescent devices. The low roll-off efficiency is attributed to the phosphorescent material, which has the molecular structure of a strong steric hindrance effect.

一种基于液晶性质的Pt配合物磷光材料电致发光器件

采用聚合物掺杂的方式,利用旋涂工艺制备了ITO/PVK:TOPPt/BCP(20 nm)/Mg:Ag(200 nm)结构的有机电致发光器件(OLED)。对掺杂浓度为2%(器件A)和4%(器件B)的磷光聚合物掺杂体系的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质进行了分析研究,并对主体材料PVK到磷光客体材料TOPPPt的能量传递机制进行了讨论。实验表明,器件的EL谱谱峰位于625 nm,器件A在25 V时最大亮度为3037 cd/m2,最大电流效率为3.15cd/A。器件的EL谱不会随着偏置电压和掺杂浓度而改变,器件具有较好的稳定性。

一种新型磷光材料的电致发光特性研究

设计与合成了一种基于Pt配合物的新型磷光材料(ppy)Pt(bcam),用其制备了相应的磷光器件,器件的结构为ITO/NPB(50 nm)/CBP(15 nm)/(ppy)Pt(bcam)(0.3-2.0 nm)/CBP(15 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/Mg:Ag(200 nm),并对器件的相关特性进行了研究。(ppy)Pt(bcam)磷光器件的最大发光波长为625 nm,器件的最大发光波长随驱动电压变化很小,显示了该器件磷光特性非常稳定;磷光发光层厚度为0.5 nm在驱动电压为24.25 V时亮度达到8 755 cd/m2,电流密度为499 A/m2时得到最大的电流效率3.33 cd/A。