三氟甲基芳环类液晶的合成新方法

以烷基（环己基）（联）苯为基本原料，经过磺代反应以后，与三所氟乙酸钠反应得到４-烷基（环已基）三氟甲基芳环类液晶化合物。反应收率高、操作简单、成本相对较低。共合成了７个三氟甲基芳环类液晶化合物。所有化合物都经过ＩＲ，１Ｈ—ＮＭＲ，ＭＳ谱图和元素分析检测，确定其分产结构，并经ＤＳＣ测得液晶相态温度范围。

液晶中间体4-烷基环己酮的新合成方法研究

报道了液晶中间体４－烷基环己酮（Ｃ３～Ｃ７）的合成新方法及实验结果。它以醛为基本原料，制成烯胺后，与丁烯酮加成、缩合、加氢而得。方法简便，周期短，产率高。

氮化硅超细粉原位生长“无缺陷”α－氮化硅晶须

研究了用加压氮化法（ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｐｒｅｓｓｕｒｅｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ，简称ＩＰＮ法）制备高活性、高纯度的氮化硅超细粉。用这种超细粉在一定温度范围内原位生长出“无缺陷”的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须，其截面直径×长的尺寸分别为（０．１～０．３μｍ）×（１０～３０μｍ）；（０．０２～０．０８μｍ）×（５０～１００μｍ）。在氮化硅基体中加入“无缺陷”α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须后，材料的断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）达１０．５±０．９ＭＰａ·ｍ￣（１／２）；室温强度σ＿（ｆＲＴ）达９２７±２９ＭＰａ；１３００℃时强度σｆ＿（１３００℃）达５５６Ｍｐａ。