L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究

通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS（100）、（010）及（001）面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,（100）面的法向生长速度先增大后减小,而（010）及（001）面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明（100）面以位错生长机制为主,（010）及（001）面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的（100）面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33～308 mm-2;掺杂浓度为1%（摩尔分数）时,蚀坑密度最小。

ADP晶体(100)面相变界面的微观结构

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（Atomic Force Microscopy）研究表明,其相变驱动力为0.01-0.04kT/ωs时,ADP晶体（100）面的平均面粗糙度和均方面粗糙度均不到0.3 nm,小于该晶面间距0.75 nm,微观结构表现为光滑界面,与夫兰克模型、特姆金模型相符,并观测到螺位错生长;在相变驱动力为0.053-0.11kT/ωs时,ADP晶体的（100）面的平均面粗糙度和均方面粗糙度介于1.8-4.2 nm,大于该晶面间距0.75 nm,微观结构粗糙度增加,趋向于粗糙界面,可用特姆金的弥散界面模型解释,界面上观测到多二维核生长。

简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟

通过对简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟,获得了不同晶体表面热粗糙度,不同过饱和度,不同平均扩散距离以及不同表面尺寸下晶体生长速率;同时,应用合维数法,计算了表面分形维数;并对表面形貌及描述表面特性的相关参量作了分析。结果表明,法向生长模式和二维核生长模式,包括单核和多核生长模式,都可能出现,其主要取决于热粗糙度和过饱和度的大小。晶体生长速率与表面的微观特性紧密相关,如扭折、台阶、台面和吸附基元的百分比。

“蒸发成核法”研究KDP晶核大小及形状

提出一种有望用于研究临界或近临界晶核大小及形状的新方法,借助于原子力显微镜(AFM),对磷酸二氢钾(KDP)晶核的大小以及形状进行了研究。结果表明,应用"蒸发成核法"可得到纳米尺寸的晶核,随溶液浓度的增大,晶核直径从25.8nm增大至59.1nm。其中最小尺寸的晶核,与低过饱和度下的理论预测值较接近。一般情况下,晶核呈球缺型,与经典理论假设形状相符。但蒸发温度低时,晶核可呈矩形(柱状),与KDP晶体的宏观形状更为接近。在蒸发速度较快时,晶核难以形成,只会出现溶质的堆积体。

Fenton试剂处理三硝基间苯二酚铅废水的研究

本文采用Ｆｅｎｔｏｎ试剂对三硝基间苯二酚铅废水进行了催化氧化的实验研究，探讨了Ｈ２Ｏ２浓度、和Ｆｅ２＋浓度对废水中酚、Ｐｂ、ＣＯＤ和ＴＯＣ去除率的影响。实验结果表明，用Ｆｅｎｔｏｎ试剂处理剂对酚、ＣＯＤ和ＴＯＣ教育良好的去除率；处理后的溶液用碱调至中性可有效去除其中的铅。