碳纳米管的表面修饰及FTIR,Raman和XPS光谱表征

用红外、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)研究了水热条件下碳纳米管在不同氧化剂中的表面修饰过程。结果表明水热条件下可以成功地实现碳纳米管的表面修饰,而且,通过控制反应条件可以改变反应产物中官能团的种类和数量。

水热条件下碳纳米管/硫氧镁化合物纳米复合材料的制备和表征

Carbon nanotubes / magnesium oxysulfates (MOS) nanocomposite was prepared under different hydrothermal conditions. The samples were characterized by SEM, TEM, XRD and TG. The results showed that carbon nanotubes and the magnesium oxysulfates could form nanocomposite under the hydrothermal reaction and the morphology of the MOS compound coated on the carbon nanotubes varied with different reaction conditions.

离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用80keV不同剂量的C3H8+、N2+对超高分子聚乙烯样品进行离子注入，通过弹性反冲探测分析表面注入层H含量的变化，对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示，离子注入以后样品表面氢含量减少，磨损性能增强。

碳纳米管/氧化锌纳米复合材料的制备及其形貌控制

Carbon nanotube/zinc oxide(CNT/ZnO) nanocomposites were prepared by the hydrothermal reaction in view of potential photocatalytic applications for these nanocomposites. The study by SEM, TEM and XRD shows that homogeneous CNT/ZnO nanocomposites were synthesized successfully and the morphology of the composites was controllable by the adjustment of pH value during the hydrothermal reaction.

铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n^-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。

团簇沉积C-N薄膜的研究

利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ,薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ,但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。

离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ,利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787～ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ,研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .

SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究

如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要。本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态。

碰撞能量对荷能团簇碰撞沉积TiN薄膜的结构、形貌及摩擦学特性的影响

在室温下，以硅（１００）为衬底，在不同的衬底偏压（即团簇不同碰撞能量）的条件下，用荷能团簇碰撞沉积方法制备了ＴｉＮ薄膜。用原子力显微镜和Ｘ射线衍射等技术对ＴｉＮ薄膜的表面形貌和结构进行了研究，并且在维式硬度计和ＳＲＶ微动摩擦磨损试验机上对其摩擦学性能进行了考察。结果表明，在低的偏压情况下，团簇比较松散地堆积在衬底上；而在高偏压时团簇和衬底碰撞破碎，形成附着力强、致密性好及表面非常光滑的薄膜；在一定的偏压范围内，ＴｉＮ薄膜是（２２０）择优取向，ＴｉＮ薄膜具有较高的硬度、较低的摩擦系数和较好的耐磨损性能。

裂解温度对CVD法制备多壁碳纳米管的影响

用SEM、TEM、HRTEM及拉曼光谱方法研究了催化裂解乙炔制备多壁碳纳米管过程中裂解温度的影响,结果表明,在650℃～700℃裂解乙炔,可获得产量高、直径分布均匀、石墨程度高的多壁碳纳米管,并对裂解温度影响机制进行了分析和探讨。

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .

低能碳原子通过单壁碳纳米管的计算机模拟研究

利用分子动力学(MD)模拟对低能碳原子通过单壁碳纳米管的运动轨迹进行了研究。通过改变不同的入射条件,得出粒子在横向平面和三维空间中的运动轨迹,结果表明:在满足一定的入射条件时,粒子在单壁碳纳米管中作受制约的运动或作折线或作螺旋线式的运动。

铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。

In^+离子注入蓝宝石(α-A1_2O_3单晶)的表面改性研究

研究了＜０００１＜和＜１２１０＞晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单晶）在注入３６０ｋｅＶ．１×１０￣１６ｃｍ￣－２或１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０￣３·ｃｍ，表面损伤层的显微硬度提高了９２％；在３６０ｋｅＶ，１×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ＋注入时，其表面损伤层的显微硬度提高了４５％，在空气中不同温度下退火后，其显微硬度的变化和损伤的变化具有相同的规律。

用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响

一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。

离子束诱导电荷显微术的现状与发展趋势

离子束诱导电荷显微术 (IBIC)是核子微探针显微成像技术的又一新发展 ,它具有低束流(fA量级 )、高效率的特点 ,已被广泛应用于半导体材料和微电子材料研究中。本文简述了离子束诱导电荷显微术 (IBIC)的原理和实验方法 ,综述了IBIC研究的现状和进展。

新型耐磨高分子人工关节材料生物相容性研究

新型耐磨高分子人工关节材料是用80KeV不同剂量C_3H_8~和N_2^+对超高分子聚乙烯样品表面进行离子注入后的材料,通过对该材料进行弹性反冲探测,显示其磨损性能增强。通过各项生物相容性试验,其均符合各项试验标准,并与对照样品在试验过程中出现的情况一致。因此,经离子注入的超高分子聚乙烯作为新型耐磨高分子人工关节材料可应用于临床。

GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。

MeV质子和^+He离子产生的^(60)Nd、^(62)Sm、^(63)Eu和^(70)YbL L次壳层电离

过去几年中,MeV的质子和+He离子等轻离子轰击中、高Z元素产生L次壳层电离截面的测量研究仍然吸引了国际上许多实验室的注意。这是由于L次壳层电离截面的知识不仅对于发展托克马克、等离子体物理、离子注入和PIXE技术等有重要意义,而且精确的L次壳层电离截面的数据可以用来检验各种电离现象理论模型的正确性,这样的检验可以加深人们对内壳层电离物理机理的理解。

碳离子辐照碳纳米管形成无定形纳米线

利用 40keV的C+离子辐照 (辐照剂量为 1× 10 16 /cm2 )CVD合成的多壁碳纳米管样品 ,在高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析时发现了一些有趣现象 :其一 ,多壁碳纳米管在辐照时 ,其结构不但无定形化 ,而且有无定形纳米线和无定形管的相互转变区出现 ;其二 ,辐照可以使交叉的碳纳米线产生“焊接”现象 .