钨酸钇钠晶体生长

采用提拉法生长制备了四方晶系白钨矿结构的钨酸钇钠[NaY(WO4)2]晶体。通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1 211℃,从XRD分析得到晶胞参数a=b=0.521 2 nm,c=1.126 8 nm,V=0.306 2 nm3。讨论了钨酸钇钠晶体的生长工艺,给出晶体生长的最佳工艺参数:拉速为0.5～4 mm/h,转速为10-18 r/min,冷却速率为18℃/h,最佳的液面轴向温度梯度为0.7～1℃/mm。测试了钨酸钇钠晶体的红外光谱和Raman光谱,讨论了晶体的振动归属。

Nd:NaR(WO_4)_2晶体光谱性能研究(R=Bi,Y)

采用提拉法生长出了掺钕钨酸铋钠(分子式Nd:NaBi(WO4)2,简称Nd:NBW)和掺钕钨酸钇钠(分子式Nd:NaY(WO4)2,简称Nd:NYW)晶体。通过TG-DTA分析得到Nd:NBW的熔点为936.2℃,Nd:NYW的熔点为1209.07℃。由吸收光谱可以看出,Nd:NBW在802nm有较强的吸收峰,Nd:NYW在804nm,752nm,586nm附近有较强、较宽的吸收峰,二者均适合于LD泵浦;并计算了晶体中Nd3+的吸收截面积。通过比较Nd:NBW和Nd:NYW的红外光谱和拉曼光谱结果,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群。

Nd∶NaY(WO_4)_2晶体的生长及其性能

Nd:NaY(WO4)2(简称Nd:NYW)是一种性能优良的激光晶体。采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的Nd:NYW晶体。通过热重-差热分析得到晶体的熔点为1209.07℃,测试了Nd:NYW晶体的红外光谱和Raman光谱,并分析了晶体的吸收光谱。结果表明:该晶体在804,752,586nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合于半导体激光器泵浦。讨论了晶体的红外和Raman光谱中各峰的振动归属。

Ho^(3+):Yb^(3+):KLa(WO_4)_2激光晶体生长与性能(英文)

以K2W2O7为助熔剂,采用泡生法生长钬镱双掺钨酸镧钾[Ho3+:Yb3+:KLa(WO4)2,Ho:Yb:KLW]晶体。通过热重–差热分析,确定晶体的熔点为1118 ℃,在熔点以下晶体没有相变,热稳定性很好。X射线衍射分析表明:所生长的晶体为四方晶系 Ho:Yb:KLW 晶体,晶胞参数为a=b=0.538nm,c=1.193nm。测量晶体的红外及Raman光谱,并对峰值进行了归属。晶体样品的吸收光谱显示:Yb3+在978nm处吸收峰较强,半峰宽为19nm,适合采用InGaAs半导体激光二极管来作为激励源。表明Yb3+对Ho3+具有敏化作用。

Yb:NaY(WO_4)_2晶体生长及性能研究

本文首次采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的Yb :NaY(WO4 ) 2 晶体 ,通过TG DTA分析得到晶体的熔点为 1 2 1 1℃ ,测试了该晶体的红外光谱、拉曼光谱和吸收光谱。结果表明 ,该晶体在 84 8nm、96 8nm附近有较强、较宽的吸收峰 ,适合于LD泵浦。

NaGd(WO_4)_2晶体的生长与性能研究

钨酸钆钠是一种新型的激光基质材料。采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆钠晶体，分子式为NaGd（WO4）2。通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1253．30℃，从XRD分析得到晶胞参数α=b=0．5248nm，c=1．1257nm。讨论了钨酸钆钠晶体的生长工艺，给出晶体生长的最佳工艺参数为拉速2mm／h，转速为30r／min，冷却速率为15℃／h，最佳的轴向温度梯度为液面上0．7～1℃／mm。测试了钨酸钆钠晶体的Raman光谱，讨论了晶体的振动归属。

Nd:NaBi(WO_4)_2晶体光谱性能研究

采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的掺钕钨酸铋钠 [分子式Nd :NaBi(WO4 ) 2 ,简称Nd :NBW]晶体。通过TG DTA分析得到晶体的熔点为 936 .2℃ ,从XRD分析得到晶胞参数a =b =0 .5 2 75nm ,c =1.14 93nm。测试了该晶体的红外光谱和拉曼光谱 ,讨论了晶体的振动归属。由吸收光谱可以看出 ,该晶体在 80 2nm有较强的吸收峰 ,半峰宽约 16nm ,并计算了晶体中Nd3+ 的吸收截面积。

Er^(3+):NaY(WO_4)_2晶体的生长与性能

采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的掺铒钨酸钇钠晶体[分子式为Er3+:NaY(WO4)2,简称Er:NYW]。通过XRD分析得到晶体的晶胞参数a=b=0.5279nm,c=1.1285nm。讨论了Er:NYW晶体的生长工艺,得出晶体生长的最佳工艺参数为:拉速2mm/h,转速35r/min,冷却速率18℃/h,最佳的轴向温度梯度为液面上0.7~1℃/mm。测试了Er:NYW晶体的Raman光谱,讨论了晶体的振动归属。由吸收光谱和荧光光谱可知,在1540、978、801nm附近的吸收峰较强、较宽,有利于用半导体激光二极管泵浦。

Yb:NaY(WO_4)_2激光晶体生长工艺研究

掺镱钨酸钇钠 [分子式 :Yb :NaY (WO4) 2 ,简称Yb :NYW ]是一种性能优良的激光晶体。本文采用提拉法生长出四方晶系白钨矿结构的Yb :NYW晶体 ,尺寸为 2 0mm× 2 0mm。对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系。实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关。

Tm^(3+),Yb^(3+)双掺KLa(WO_4)_2晶体的生长及光谱特性研究

以Yb3+作为Tm3+的敏化剂,采用泡生法生长了四方晶系的Tm,Yb∶KLW晶体(Tm3+,Yb3+掺杂浓度分别为1%和8%(原子分数))。测试了晶体的红外光谱和拉曼光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。分析了晶体的吸收光谱,计算了相应的光谱参数。从荧光光谱可以看出,在1028 nm附近,Yb3+发射主峰的发射线宽达16 nm,对应的是Yb3+的2F5/2和2F7/2的最低能态之间的跃迁;Tm3+在1768 nm处的荧光发射峰半高宽为40 nm左右。测试了晶体的上转换荧光谱,分别在485 nm,643 nm处得到了上转换蓝光和红光,并分析了相应的上转换机制。

Ho^(3+),Yb^(3+)双掺KGd(WO_4)_2激光晶体的光谱性能

钨酸钆钾是一种新型的激光基质材料。以Yb3+作为Ho3+的敏化剂,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的Ho∶Yb∶KGW晶体。测试了晶体的红外光谱和拉曼光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。分析了晶体的吸收光谱,计算了相应的光谱参数。从荧光光谱可以看出,在1022 nm附近,Yb3+发射主峰的发射线宽达14 nm,对应的是Yb3+的2F5/2和2F7/2的最低能态之间的跃迁;Ho3+在1985 nm处的荧光发射峰半高宽为45 nm左右,发射截面积为σemp=1.79×10-20cm2。测试了晶体的上转换荧光谱,得到了较强的上转换红光,并分析了相应的上转换机制。

NaY(WO_4)_2晶体生长与开裂分析

本文采用Cz法生长NaY (WO4 ) 2 晶体。研究了钨酸钇钠晶体的生长工艺 ,给出晶体生长的最佳工艺参数为拉速 1 - 2mm/h ,转速为 1 0 - 1 8r/min ,冷却速率为 1 8℃ /h ,轴向温度梯度为液面上 0 7— 1℃ /mm。大量实验表明 ,晶体开裂主要是由热应力引起的。热应力引起的开裂除了沿解理面方向外 ,还由于各方向上热膨胀系数不同 ,而表现为横向层状的断裂 (偏c轴方向生长 )和纵向断裂 (偏a轴方向生长 )两种形式。因此可通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数及退火处理等方法 。

二亚苄基山梨醇的合成

本文采用改进的方法合成了二亚苄基山梨醇（ＤＢＳ），收率在９５％以上， 并将ＤＢＳ加入到聚丙烯中，验证了ＤＢＳ能够增大成核密度，使聚丙烯透明性增加。

Nd:NaY(WO_4)_2激光晶体光谱性能研究

Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。本文采用提拉法生长了Nd:NaY(WO4)2晶体,测试了该晶体的吸收光谱和光荧光光谱。结果表明,该晶体在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合于LD泵浦。从光荧光光谱得到发射波长分别为1064nm和1350nm,并计算了晶体的吸收截面和发射截面。

激光二极管泵浦Nd:NaY(WO_4)_2晶体的激光性能(英文)

采用提拉法生长了平均尺寸为φ25mm×50mm的掺钕钨酸钇钠[Nd:NaY(WO4)2,Nd:NYW]晶体,测量了Nd:NYW晶体的吸收光谱。吸收光谱表明:该晶体在804,752nm和586nm附近的吸收峰较强、较宽,有利于用激光二极管(laser diode,LD)泵浦。分别以氙灯和LD作为泵浦源,对晶体的激光特性进行了研究。结果表明:当氙灯输入能量为11.7J时,该激光棒获得了36.9mJ的输出;当LD泵浦功率为1W时,输出273mW的1.06μm波长激光,激光阈值为160mW,光-光转换效率为27.3%,斜效率为34%。

Yb^(3+)掺杂KLa(WO_4)_2激光晶体生长与光谱分析(英文)

采用提拉法生长出掺镱钨酸镧钾[Yb:KLa(WO_4)_2,Yb:KLW]晶体,测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,对出现的振动模式进行了归属。从X射线衍射分析得到晶胞参数a=b=0.532nm,c=1.189nm。通过热重-差热分析得到晶体的熔点为1119℃,在熔点以下没有相变。测试了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数。结果表明:该晶体发射波长为1021 nm,在931,981 nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合用InGaAs半导体激光泵浦。

掺钕钨酸钇钠晶体的缺陷

掺钕钨酸钇钠晶体Nd:NaY(WO4)2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察,并分析了缺陷产生的原因。在晶体的不同部位取样进行扫描电镜和能谱分析,发现随着晶体生长过程的进行,晶体中Nd3+的浓度逐渐增加。研究了晶体中位错蚀坑的分布特点,发现位错蚀坑的密度与晶体生长的不同部位、Nd3+的掺杂浓度等因素有关。

Yb∶NaY(WO_4)_2激光晶体的光谱性能

采用提拉法生长出了Yb∶NaY(WO4 ) 2 晶体 ,给出了晶体生长的最佳工艺参数 :拉速 0 .5～ 4mm/h ,转速 3 0～ 40r/min ,冷却速率 18℃ /h。由TGDTA分析得到晶体的熔点为 12 0 9℃。测试了该晶体的Raman光谱、吸收光谱和荧光光谱 ,计算了吸收光谱和荧光光谱中的有关参数。结果表明 :该晶体发射波长为 10 10nm ,在 848,968nm附近有较强、较宽的吸收峰 。

Nd:NaY(WO_4)_2晶体生长与性能研究

Nd :NaY (WO4 ) 2 (简称Nd :NYW )是一种性能优良的激光晶体。本文采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的Nd :NYW晶体 ,通过TG -DTA分析得到晶体的熔点为 12 0 8 7℃ ,并分析了晶体的吸收光谱。通过比较Nd :NaBi (WO4 ) 2 (简称Nd :NBW )和Nd :NYW的红外光谱和拉曼光谱结果 ,认为二者结构基本相同 ,为四方晶系、白钨矿结构、I4 1/a空间群。

Yb:KGd(WO_4)_2激光晶体结构与振动光谱

用顶部籽晶提拉法,以K2W2O7为助溶剂,生长Yb:KGd(WO4)2激光晶体.经热重. 差热分析,确定晶体熔点为1086℃,相变温度为1021℃晶体结构分析确定Yb:KGW(WO4)2 晶体由WO6八面体连接而成,WO6八面体是由(WOOW)双氧桥及(WOW)单氧桥构成. 晶体粉末样品室温下的红外及拉曼光谱测试,确定WO42-、双氧桥及单氧桥的振动范围,并对其进行了归属.X射线粉末衍射测试,验证所生长的晶体为β-Yb:KGd(WO4)2.