SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究

本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。

SJ5520差动变压器接口电路

本文论述了LVDT(线性可变差动变压器)在工业测量及控制领域中的广泛应用。SJ5520是LVDT复合集成电路的替代接口电路,文章介绍了该电路的重要电特性、内部功能及二种典型应用电路。