长波光导60元碲镉汞红外探测器通用组件

报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻，并达到了国军标所规定的红外探测器高、低温实验，温度循环实验，振动实验和冲击等环境实验的要求。

HgCdTe光导探测器的低频噪声

Hg_0.73Cd_0.27Te光电导探测器的低频噪声频谱呈1/f关系,测得不同样品的S_v/V^2值随偏置电场变化而变化,说明陷阱效应引起载流子数起伏是主要的低频噪声源,只有表面状态较为理想的样品的S_v/V^2值才接近Hooge关系的计算值,迁移率起伏上升为主要的1/f噪声源.Hooge关系可以作为区分陷阱效应和迁移率起伏两类噪声源的判別标准.

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。目前的热点是ＨｇＣｄＴｅ和非致冷焦平面列阵。广阔的军事和民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。

碲镉汞探测器的表面钝化

讨论表面钝化的概念、特性和作用 ,比较各类钝化技术及用于碲镉汞红外探测器的适应性。

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。HgCdTe FPA和非制冷焦平面阵列,军事装备和广阔的民用市场需求推动探测器技术进一步发展。

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。HgCdTeFPA和非制冷平面列阵，军事装备和广阔的民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。

SPRITE探测器的噪声

在Mullard公司生产的Hg_(0·8)Cd_(0·2)Te SPRITE探测器上的噪声测量表明:低频范围是典型的1/f噪声并遵从Hooge规律,得到80K时的Hooge参量a_H为3.4×10^(-5)。非平衡载流子的扫出不影响1/f噪声。在30V/cm的场强下读出电极和偏置电极的噪声低频拐角频率分别是1.5kHz和500Hz,由偏置电极噪声高频截止得载流子寿命为1.6μs。中间频率区偏止电极噪声输出遵从一般g-r噪声规律,而读出区噪声因其几何结构特殊电场分布不匀而偏离理论计算。

磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤

用Ｘ射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Ｔｅ溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤，发现精磨精抛的ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析，认为机械划痕是精磨精抛过程中的主要损伤结构，并提出一个新的表面损伤模型──表面不完全损伤模型。用Ｘ射线形貌相测出了精磨精抛ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的平均损伤和最大损伤深度。结合压痕实验，确定了机械划痕周围的晶格应变区是高密度位错增殖区；在特定条件下，测出两者之间的比值约为５。最后讨论了最大损伤深度和平均损伤深度对探测器性能的影响。

采用叠盖电极的高性能光导HgCdTe红外探测器

介绍叠盖电极探测器的物理机理和结构，与标准结构探测器比较，其响应率和黑体探测率均有大的增长。实验结果表明响应率增长约１倍，黑体探测率增长约３０％。无需改变现有工艺，成功制备实用工程探测器，性能明显提高。

由黑体D_(bb)~*确定峰值D_λ~*以及黑体波段D_(△λ)~*——G因子的计算

介绍了G因子的概念和确定方法。常规黑体Dbb*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数*据便可计算G因子。同时介绍了波段G因子及其计算方法。

长波光导HgCdTe探测器的输运特性

测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．

Pt/CdSSchottky势垒紫外探测器的研制

介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%。

变温长波碲镉汞光电导现象研究

报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据．实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０１５ｃｍ－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致。

采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器

介绍一种采用叠盖电极制备高级长波 6 0元探测器的方法 ,并进行了较深入的实验 ,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上 ,确定了器件的最佳工作条件 ,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。

多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析

利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.

多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价

讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量器件性能参数的均匀性是不适宜的；根据分析结果提出了一个相应的评价参数。

叠盖电极高性能SPRITE探测器

由于扫出效应 ,载流子大量聚集在邻近电极的区域 ,但电极处的强复合作用使SPRITE读出区光生载流子数衰减很多 ,采用叠盖电极技术可以有效地阻止载流子在地电极处的快速复合 ,读出区中光生非平衡载流子总数为无叠盖电极时的 2 .18倍 ,输出信号大幅度提高。该技术对现有工艺的改变极小 ,是一种比较现实的提高SPRITE探测器性能的有效办法。叠盖电极用于SPRITE探测器 ,可明显提高性能。

碲镉汞小晶片缺陷的同步辐射形貌相分析

在北京正负电子对撞机国家实验室，用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片（面积小于１ｍｍ２）的高分辨率白光形貌相。实验结果表明：在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷，如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用，样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型，讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。

从噪声测量确定探测器双极迁移率及电学参数

提出一种确定光导探测器参数η0、μa和τ的新方法──探测器噪声与偏置关系测量的计算机拟合方法。进行了理论分析，并以实验证明了方法的可行性．

光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。