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集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器 被引量:1
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作者 朱旭愿 剌晓波 +4 位作者 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期27-33,共7页
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大... 研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大于29 GHz。在速率为25 Gbit/s的非归零(NRZ)码数据调制下,光信号经10 km长的单模光纤传输后获得10-10误码率的功率代价在室温及80℃下均小于1 dB。激光器的有源区长度较大,有利于提高发光效率并且有助于减小电流热效应的不利影响。所研制的高速直接调制激光器是大容量短距光纤通信系统的理想光源,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 高速直接调制 InGaAlAs/InP量子阱 1.3μm波段
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