同步辐射x射线光刻实验研究

采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。

X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。

同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究

同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.

Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography

Since the synchrotron radiation X-ray lithography (SRXRL) was put forward, it hascaught many people’s attention day after day. It has much benefit, such as high-structuralresolution, large process window, high throughput. It is generally thought a very goodlithography technique when dimensions shrink to 0.25μm and below. Because of the im-