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CMOS电路抗Latchup性能研究 被引量:1
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作者 费新礴 朱正涌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期385-390,共6页
本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对La... 本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对Latchup效应进行了二维模拟. 展开更多
关键词 CMOS电路 抗Latchup 寄生效应
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扩磷多晶硅的反应离子刻蚀
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作者 张晓永 朱正涌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期29-32,共4页
提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法:二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷多晶硅的高度各向异性反应离子刻蚀,并对其刻蚀机理进行了分析。
关键词 扩磷多晶硅 二氧化硅膜 过腐蚀法 深亚微米线条
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CMOS输入电路抗ESD性能研究
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作者 费新 朱正涌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期43-45,共3页
对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试方法,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达200... 对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试方法,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达2000V以上的抗ESD结构。 展开更多
关键词 集成电路 CMOS 输入电路 NPN结构 静电放电
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集成电路制造工艺多媒体教学系统的设计 被引量:3
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作者 向采兰 孔晓骅 +5 位作者 吴博 董继华 顾祖毅 朱正涌 田立林 宋文忠 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第S1期60-63,共4页
介绍一个集成电路制造工艺多媒体计算机辅助教学(MCAI)系统的设计与开发。系统包括教学系统及教学管理系统。IC制造工艺原理课件包括各种工艺的工艺目的、工艺原理、工艺参数和质量检测等内容,采用多媒体技术展示工艺设备结构... 介绍一个集成电路制造工艺多媒体计算机辅助教学(MCAI)系统的设计与开发。系统包括教学系统及教学管理系统。IC制造工艺原理课件包括各种工艺的工艺目的、工艺原理、工艺参数和质量检测等内容,采用多媒体技术展示工艺设备结构、工作原理,模拟设备运行。目前已基本完成了各子系统的开发和调试,进入总体的集成和调试阶段。计划在99年下半年启用该系统开出课程。使用该多媒体教学系统,可望进一步提高教学质量。对系统开发所涉及的多媒体制作工具软件及其使用也作了简单介绍。 展开更多
关键词 多媒体 计算机辅助教学 IC制造工艺 课件 模块连接
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