经颅磁刺激对学习记忆及大脑神经突触可塑性影响的研究进展

经颅磁刺激(TMS)作为一种无创神经调控技术可以改善因疾病而造成的学习记忆损伤,而学习记忆调节依赖于突触可塑性这一生理学基础。TMS可以影响大脑神经突触可塑性,本文从结构和功能可塑性两方面综述其对突触可塑性的影响;并进一步从突触囊泡、神经递质、突触相关蛋白、脑源性神经营养因子及其相关通路揭示TMS作用机制。最后发现TMS通过对神经元形态、谷氨酸受体、神经递质的影响,以及对脑源性神经营养因子表达的调节,从而调节突触相关蛋白的表达,最终调节突触结构和功能可塑性,从而影响学习记忆功能。本文综述了TMS对学习记忆及大脑神经突触可塑性的影响,期望对今后TMS作用机制的研究提供借鉴。

基于loxP—ere系统的细胞内重组技术

噬菌体呈现技术近年来得到小断改进和完善。基于loxP—CYe系统的细胞内重组技术是最为重要的改进。从双载体系统到单载体系统，从大样本抽样测序到肉眼直观判断，它使大库容量天然抗体库的构建变得简单易行，并有利于高亲和力抗体的获取。现对其改进和完善过程进行综述。