离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用80keV不同剂量的C3H8+、N2+对超高分子聚乙烯样品进行离子注入，通过弹性反冲探测分析表面注入层H含量的变化，对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示，离子注入以后样品表面氢含量减少，磨损性能增强。

嘉兴市构建城乡一体化新型公共图书馆服务体系的实践和思考

图书馆总分馆建设是国家"十一五"文化发展纲要中明确的中国图书馆事业发展的一个基本方向,是合理配置图书馆资源、统筹城乡文化发展、实现文化资源共享、拓展图书馆服务网络的有效方式。嘉兴市突破体制约束,实现各级图书馆"人、财、物"统一管理,统一采购、统一编目、统一配送、通借通还,建立起以"政府主导、多级投入、集中管理、资源共享"为主要特点的城乡一体化公共图书馆服务网络体系,切实解决了农民群众看书难问题,取得了很好的社会效益,被誉为"嘉兴模式"。受到图书馆界、学界及社会的广泛关注。

嘉兴市公共图书馆服务体系的一项创新工程——邮政物流服务

从嘉兴市城乡一体化公共图书馆邮政物流服务的现状入手,剖析了物流存在的主要困难和问题,并抓住当前普遍存在的问题,有针对性地提出了加强物流管理利用的对策措施和解决路径,把物流管理有效地应用到城乡一体化公共图书馆服务体系建设中。

等离子体浸没离子注入豌豆种子的表面形态研究

用等离子体浸没离子注入设备对食荚青豌种子进行了氩离子注入。卢瑟福背散射方法证实了经这种离子注入后,的确有一定数量的氩离子进入了食荚青豌种子,并发现注入种子的氩离子的相对浓度与注入的时间有关。用扫描电子显微镜对经过注入和未经注入离子的食荚青豌种子的表面形态进行了研究,发现等离子体浸没氩离子注入对种子有刻蚀作用。本文还探讨了这种注入方式引起种子细胞损伤的机制。

重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.

AlxSn100—x合金系统的Ar^＋溅射研究

用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶＡｒ＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（Ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）溅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好．

超高分子聚乙烯经离子注入后生物相容性研究

目的：研究经离子注入后的高分子聚乙烯的生物相容性。方法：按照美国材料协会ＡＳＴＭ标准，进行了全身急性毒性试验，热原试验，细胞毒性试验，微核试验和肌肉长期植入试验。结果：经离子注入的超高分子聚乙烯样品符合各项试验标准，并与对照样品在试验过程中出现的情况一致。结论：经离子注入的超高分子聚乙烯样品与末经离子注入的已在临床上使用的超高分子聚乙烯具有相同的生物相容性，为临床上作为人工材料应用提供了试验依据。

带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究

设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。

商业智能在区域公立医院绩效管理系统中的应用

研究应用商业智能(Business Intelligence,BI)技术,进行区域数据中心的构建、系统架构、多维数据模型及绩效分析展现设计,实现商业智能技术应用到区域公立医院绩效管理系统中。该系统操作便捷、界面友好,具有强大的扩展性,用商业智能技术进行绩效分析,分析更加综合、更加深入,充分利用宝贵数据,明显提高卫生管理机构对公立医院的管理水平。

新型耐磨高分子人工关节材料生物相容性研究

新型耐磨高分子人工关节材料是用80KeV不同剂量C_3H_8~和N_2^+对超高分子聚乙烯样品表面进行离子注入后的材料,通过对该材料进行弹性反冲探测,显示其磨损性能增强。通过各项生物相容性试验,其均符合各项试验标准,并与对照样品在试验过程中出现的情况一致。因此,经离子注入的超高分子聚乙烯作为新型耐磨高分子人工关节材料可应用于临床。

InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制

研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%～ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%～ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。

Cu－37at％ Ag共晶合金的离子溅射研究

侧重研究了入射Ａｒ＋离子不同剂量轰击时表面微形貌和溅射原子角分布之间的关联，并建议用“元素按靶点表面微形貌特征局域富集模型”来解释溅射原子角分布形状以及择优溅射曲线的变化；发现其结果与实验相符合。

离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”

用扫描电子显微镜结合电子探针微分析（ＳＥＭ／ＥＰＭＡ）技术测定了溅射诱发的靶点表面成份变化，观察了表面形貌结构凸起和凹陷处的成分差别．实验结果表明．单相合金Ｃｕ－１２ａｔ．％Ａｕ在３０ｋｅＶＡｒ＋离子溅射过程中产生了“表面元素局域富集”现象。根据“溅射－形貌增强元素局域富集模型”，它包括元素局域富集初级阶段和毛细压力发生的选择性诱发力的作用．并据此对实验结果进行了讨论。

镍增进无定形硅低温固相外延生长

离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。

用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。

溅射原子角分布的同位素效应

本文报道了用50keV Ar^+离子在垂直入射情况下对Cu元素进行溅射的实验。研究了作为发射角函数的同位素富集行为。结果表明,较轻的同位素无富集,而较重的同位素在从～5°到80°发射角范围内都是富集的。

机械通气在基层医院抢救呼吸衰竭中的应用

近年来，我院临床开展人工机械通气技术的应用，抢救了4例急性呼吸衰竭和2例慢性呼吸衰竭急性加重患者，其中3例存活，3例延长了生命。兹报道如下：